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为什么apex决定在新的pwm放大器中集成sic而不是gan？
碳化硅（sic）和氮化镓（gan）具有类似的高宽带隙能量，从而使它们在开关能力、效率、大功率和高压处理方面比硅、锗或砷化镓等其他半导体更具优势。
但是为什么我们使用sic，而不是gan？因为虽然带隙能量类似，但是sic和gan在击穿电压和开关速度方面有所不同。
gan更适合高频应用，而sic器件的击穿电压较高。
sic和gan的另一个关键区别是导热率。碳化硅的导热率比gan高很多，因而在涉及高温或大功率的应用中具有优势。
此外，sic rds(on)的温度依赖性比gan低很多。在结温从室温升高至125°c时，gan器件的导通电阻将升高一倍以上，而典型的sic mosfet的导通电阻仅上升25%左右。
这是apex在持续扩展产品组合过程中利用的一个重要sic器件特征，apex此举旨在支持达到甚至超过150°c的高温应用。
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