2014就快过去了，你知道你的SDRAM在哪里吗？它将会有什么变化？
作者：steve leibson, 赛灵思战略营销与业务规划总监
上周在x-fest san jose大会上，我参加了四个技术座谈会，第一个就是关于存储器接口和fpga的，尤其是xilinx的ultrascale系列fpga。这次座谈会上有很多关于sdram的有价值的资料。bryan fletcher是avnet（安富利）的一名技术 营销总监，他的演讲是从分析ddr3与ddr4 sdram的动态市场占有率开始的，ddr3 sdram目前是市场占有率的主体，也就是说ddr3 sdram存储器的每比特成本要比其他sdram成本要低，性价比要高。
这样的市场格局不会一直持续下去，下面图片显示的是gartner对于2018年之前的sdram市场份额占有形势的预测：
正如你所看到的，曾经的市场主体ddr2将走向没落，它的市场份额占有率将从10%下降到5%。 这意味着将下降到很难再有销量的水平，市场主体ddr3 sdram在下一年年初之前它的市场需求将是必不可少的，会呈现一种与ddr4 sdram平分秋色的形势，但是之后ddr3的市场占有率将会迅速减少，ddr4 sdram将会成为市场的领导者。
原因？为什么？
我们可以从三个“p（单词首字母）”方面分析——价格（price）、性能（performance）、功耗（power）
——这些正是电子电气工程所关心的问题。fletcher解释说ddr4 sdram将会是在这三个方面都是最出色的。正如上面的图表显示，ddr4 sdram将会占据大部分的市场份额，主要是靠pc市场销量的推动。市场占有率会推动产品的更新，同时反过来也会影响产品的价格。请注意sdram在fpga市场的销售情况与pc机市场的形势如出一辙。而且ddr4 sdram将会使用更先进的处理技术来生产，这意味着每个sdram芯片的存储容量将会翻倍，根据fletcher所说，在不久的将来这两个因素将会使ddr4每比特存储的成本降到最低，这是你开始你的下一个项目设计所需要考虑的一些方面。
vdd/vddg——ram存储阵列的核心操作电压，比ddr3降低了25%
vpp——用于内部的充电，ddr4 sdram采用外部驱动，这是芯片级的设计变动，允许更低的核心操作电压（1.2v）
vtt——总线端点电压，是vdd电压的一半，所以与ddr3相比也降低了25%
这些改进了的低电压设计让ddr4成为低功耗高性能的sdram，下面的图表ddr3与ddr4相关信息的对比：
最后就剩下性能没有介绍了，ddr4 sdram将来能够达到最快3200mbits/sec的数据交换速率，而ddr3 sdram最快只有2133mbits/sec。因此没有比较可言（注：xilinx 基于20nm制作工艺的ultrascale系列fpga与ddr4之间的数据传输速率能够达到2400mbits/sec，仍然要比ddr3的传输速率要快）。.
这次讨论会引导我们关注fpga所使用的sdram存储芯片，尤其是xilinx ultrascale系列的fpga芯片。
ultrascale系列的每个i/o bank已经扩展到了52 bits，因此每个bank能够支持四个全字节的通道，你需要三个bank来至此64-bit的存储实现，因为它需要八个全字节的通道用于数据传输，还有一条地址和控制信号通道，如下图所示：
此外，在每个bank的内部还有两个pll，所以你可以使用一个bank来控制两个不同的存储bank，如果有需求的话。
位于ultascale fpga内部的存储控制器是由mig（memory interface generator）工具生成的,与xilinx以前的fpga产品是相同的。ddr4 sdram的容量信息已经被加入到mig工具中，存储控制器的具体实现分为硬核模块包括phy和在pl部分实现的模块，主要包括存储控制器和sdram校准模块，如下如所示：
最后，fletcher强调你需要注意印制电路板的布局布线，这将影响到ddr4的数据传输速率，这里我们给出了一些参考材料（ultrascale architecture pcb design user guide (ug583)）,什么也比不上一张图片所能够说明的问题：
avnetx-fest系列会议正在北美地区举办，可能哪一边就会到你附近的城市，点击这里查看具体信息。
欧洲之行会在十月份启动，点击这里产看日程和城市安排信息。
要了解亚洲的日程安排信息，点击这里。
? copyright 2014 xilinx inc.
如需转载，请注明出处
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vtt——总线端点电压，是vdd电压的一半，所以与ddr3相比也降低了25%
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