MOSFET是一种应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
mosfet全称metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor，中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或mos管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
功率mosfet则指处于功率输出级mosfet器件，通常工作电流大于1a。由于功率器件的分类方式非常多样，且各分类方式的分类逻辑并不存在上下包含的关系，因此在这里我们从驱动方式、可控性、载流子类型这三个分类维度将功率mosfet定义为电压驱动的全控式单极型功率器件。
由于功率mosfet往往追求高频率与低功耗，且多用作开关器件，因此n沟道增强型是绝大多数功率mosfet的选择。功率mosfet自1976年诞生以来，不断面对着社会电气化程度的提高所带来的对于功率半导体的更高性能需求。对于功率mosfet而言，主要的性能提升方向包括三个方面：更高的频率、更高的输出功率以及更低的功耗。
为了实现更高的性能指标，功率mosfet主要经历了制程缩小、技术变化、工艺进步与材料迭代这4个层次的演进过程，其中由于功率mosfet更需要功率处理能力而非运算速度，因此制程缩小这一层次的演进已在2000年左右基本上终结了，但其他的3个层次的演进仍在帮助功率mosfet不断追求着更高的功率密度与更低的功耗。
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