三星推首款3D垂直NAND闪存技术SSD
在硬盘厂商之间的较量中，比拼的不仅仅是性能参数上的快速，对于推出新技术、新产品的速度也同样要追求一个“快”字。
一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3d垂直nand flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间，同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3d垂直nand flash技术的ssd固态硬盘。
不过令人感到遗憾的是，目前采用新技术的ssd固态硬盘只有面向高等级企业推出的480gb和960gb两种版本的产品。也就是说，凭借v-nand技术所带来的大容量及高可靠性来说正是非常适合高等级企业用户，对此新产品的推出已经具有了非常大的意义。
三星公司在存储技术上一向处于世界领先地位，尤其是在nand闪存芯片上的研究更是如此。3d vertical nand技术采用了不同于传统nand闪存的排列方式，该芯片通过自家改进性charge trap flash技术，在一个3d的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。
此外，该芯片最高可堆叠24层，拓展能力是普通平面型闪存的两倍以上，且可靠性提升2至10倍，写入速度提升2倍。虽然首款量产型号仅为 16gb，但是经过改进，未来最高出现单片存储空间为 128gb 的芯片并不遥远。
同时三星还表示，3d vertical nand技术除了能够做到比20nm工艺的平面nand提升2倍以上的容量以外，3d ctf拥有比10纳米工艺的floating gate nand多一倍的可靠性与性能提升。
其实广大普通消费者无需过分失望，三星公司官方已经承诺表示未来一定会将拥有3d垂直nand flash技术的ssd固态硬盘产品推向普通消费级pc市场。因此我们完全可以相信大容量ssd固态硬盘时代的来领已经为期不远了。
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