宏茂微电子实现3D NAND芯片封测规模量产
2019新年伊始，紫光“官宣”旗下紫光宏茂微电子成功实现大容量企业级3d nand芯片封测的规模量产。
与此同时，紫光集团也积极在业内进行“合纵连横”，打造紫光存储生态圈，使其存储棋局渐成气候。
“零到一”的突破 本土封测一大跳跃
2018年的紫光可谓是顺风顺水：长江存储进展顺利，自主研发的32层64g 3d nand芯片将于2019年量产；南京、成都存储芯片工厂也相继动工；苏州ssd工厂同样在开工建设；与此同时，紫光宏茂的存储芯片封测项目也传来好消息——大容量企业级3d nand芯片封测成功进入量产。
紫光宏茂原来是***南茂科技的全资子公司，2017年6月被紫光集团收入麾下，成为最大股东并实际主导经营，经过一系列战略调整和转型，目前重点发展存储器的封装与测试。
而根据紫光集团存储芯片战略规划，紫光宏茂自2018年4月起开始建设全新3d nand封装测试产线，组建团队，研发先进封测技术；2018年5月完成无尘室建置；6月开始投片实验；9月完成产品初期验证；11月产品通过客户内部验证。仅用半年多时间，紫光宏茂完成了全部产品研发和认证，顺利实现量产，正式交付紫光存储用于企业级ssd的3d nand芯片颗粒。
据悉，紫光宏茂已成为全系列存储器封测的一站式服务提供商，产品包括3d nand（raw nand，emmc，ufs，emcp，tf card）、2d nand、nor、dram、sram等存储器产品的封装和测试。
一直以来，集成电路封测市场上内资企业以封测代工业为主，外资企业以idm型为其母公司封装测试自有产品为主。而这次紫光宏茂的闪存封测成功量产，是内资封测产业的一大进步，是国内3d nand先进自主封装测试技术实现从无到有的重大突破，同样也是紫光集团在完整存储器产业链布局落下的一步关键棋子。
无惧产能过剩 紫光奋力直追
不过因应全球存储市场的不景气，三星、美光、sk海力士相继释出将调降资本支出规划或减缓扩产幅度来调节供求平衡以及稳定产业军心。随着长江存储的3d nand产能逐渐开出，规划2019年64层3d nand顺利量产后，其他工厂也将火力大开跟上步伐，武汉、南京、成都三地齐发扩充储存芯片产能。
对于紫光在此时大动作进行扩产，也让外界不禁担忧，紫光若启动三大生产基地生产3d nand芯片，会不会面临产能过剩的危机？
紫光展锐联席ceo楚庆之前曾在接受媒体采访时以手机存储芯片趋势分析表示，这仅是短暂现象。现有的几家半导体大厂包括三星、东芝都是同步发展96层技术，伴随技术突破，一定会有不少产能增加，形成供过于求，但这些新产能很快就会被新增的需求吃掉。
虽然3d nand技术不断往上迭，从32层、64层迭到96层技术，是一年密度增长一倍的速度。但到了 128 层甚至 144 层，技术挑战难度会越来越大，产品不会一直顺利产出，就跟摩尔定律放缓是一样的原理。
楚庆表示，无论是从供给面或是技术面来看，未来nand flash产业前景都非常乐观，2018年旗舰级智能手机的存储容量是256gb ，2019年会成长到512gb，消耗的存储芯片越来越可观。但3d nand技术的发展也会遇到不小瓶颈，紫光要奋力追赶。
“合纵连横”打造紫光存储生态圈
中国是全球最大的制造国，对3d nand产品有巨大需求，庞大的市场为紫光的存储计划提供了基础。企业级ssd产品中采用3d nand的比重逐年升高，企业级ssd产品已从2015年10%攀升到2018年的77%，消费级ssd产品已从3%扩大到60%，3d nand已经成为主流应用，国际巨头争相角逐中国市场。
不过，存储产业绝不是靠“单打独斗”的行业，紫光也深谙这个道理。除了加强自身的研发技术，紫光也在不断“合纵连横”，不断建立策略联盟关系来扩大自己的存储版图。
2018年11月，紫光牵手ssd主控厂商江波龙，建立长期战略合作关系；2018年12月，紫光再度与群联签订合作协议，将在存储芯片供应链、产品设计、代工生产等领域全面深化合作。至此，紫光正在扩建其“紫光生态圈”来加码存储棋局。
近年来的紫光，通过一系列的投资来完成“芯到云”布局，而发展存储更是其“芯到云”战略的重要一环。目前，紫光已在存储产业打造出包括研发设计、生产制造、封装测试等完整产业链，紫光“存储舰队”已然成形。
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紫光宏茂原来是***南茂科技的全资子公司，2017年6月被紫光集团收入麾下，成为最大股东并实际主导经营，经过一系列战略调整和转型，目前重点发展存储器的封装与测试。
而根据紫光集团存储芯片战略规划，紫光宏茂自2018年4月起开始建设全新3d nand封装测试产线，组建团队，研发先进封测技术；2018年5月完成无尘室建置；6月开始投片实验；9月完成产品初期验证；11月产品通过客户内部验证。仅用半年多时间，紫光宏茂完成了全部产品研发和认证，顺利实现量产，正式交付紫光存储用于企业级ssd的3d nand芯片颗粒。
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虽然3d nand技术不断往上迭，从32层、64层迭到96层技术，是一年密度增长一倍的速度。但到了 128 层甚至 144 层，技术挑战难度会越来越大，产品不会一直顺利产出，就跟摩尔定律放缓是一样的原理。
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