升压型DC/DC转换器的PCB布局-输出电容器和续流二极管的配置
继上一篇文章针对升压型dc/dc转换器的输入电容器之后，接下来将对升压型dc/dc转换器的重要元器件－－输出电容器和续流二极管进行配置。
输出电容器和续流二极管的配置
配置升压型dc/dc转换器的输入电容器后，我们来配置升压型dc/dc转换器的输出电容器和升压型dc/dc转换器的续流二极管。
对此电路板布局进行解说的前提为升压电路的输出电流为1a以内。如果是这种程度的输出电流，则仅需要较小电容量的输出电容器cout即可，因此同一枚陶瓷电容器还可作为高频去耦电容cobypass使用。这是因为陶瓷电容器的容值越小，其频率特性越好。但是由于陶瓷电容器的种类或厂家不同，其频率特性也不同，因此需要对实际所用元器件的频率特性进行确认。
将续流二极管d2配置在与ic和cout同一个面的最近处。连接二极管和开关mosfet q2的节点是开关节点，因此是高频噪声的发生源。若此节点的布线过长，则因布线电感引起的高频尖峰噪声将会叠加在vout上。另外，通过尽可能缩小从开关mosfet q2到续流二极管d2、高频去耦复用输出电容器cout的环路，来尽量控制高频噪声的辐射。以上的元器件配置和布线，必须在同一面上完成。如果经由通孔在背面进行配置和布线，受通孔电感量的影响，噪声会加剧，因此请绝对不要经由通孔。考虑了以上情况的理想布局示例，如右图所示。相关布局部分已使用深色进行表示。
理想的输出电容器和续流二极管配置示例
如前面提到的，开关节点过长将增加布线电感，从而导致高频尖峰噪声增大，大部分情况都会带来不好的影响。为了改善此高频尖峰噪声，可采用增加rc缓冲电路的方法进行处理。
由于此缓冲电路需要配置在开关mosfet q2和ic的gnd引脚的最近处，因此我们建议提前准备好用于缓冲电路的电阻rs和电容器cs的焊盘。
请注意，在缓冲电路的开关动作中始终会产生损耗，这是导致效率下降的主要原因，这一点请务必知悉。可能需要在降低开关节点尖峰噪声和确保效率之间进行权衡。
理想的缓冲电路配置示例
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输出电容器和续流二极管的配置
配置升压型dc/dc转换器的输入电容器后，我们来配置升压型dc/dc转换器的输出电容器和升压型dc/dc转换器的续流二极管。
对此电路板布局进行解说的前提为升压电路的输出电流为1a以内。如果是这种程度的输出电流，则仅需要较小电容量的输出电容器cout即可，因此同一枚陶瓷电容器还可作为高频去耦电容cobypass使用。这是因为陶瓷电容器的容值越小，其频率特性越好。但是由于陶瓷电容器的种类或厂家不同，其频率特性也不同，因此需要对实际所用元器件的频率特性进行确认。
将续流二极管d2配置在与ic和cout同一个面的最近处。连接二极管和开关mosfet q2的节点是开关节点，因此是高频噪声的发生源。若此节点的布线过长，则因布线电感引起的高频尖峰噪声将会叠加在vout上。另外，通过尽可能缩小从开关mosfet q2到续流二极管d2、高频去耦复用输出电容器cout的环路，来尽量控制高频噪声的辐射。以上的元器件配置和布线，必须在同一面上完成。如果经由通孔在背面进行配置和布线，受通孔电感量的影响，噪声会加剧，因此请绝对不要经由通孔。考虑了以上情况的理想布局示例，如右图所示。相关布局部分已使用深色进行表示。
理想的输出电容器和续流二极管配置示例
如前面提到的，开关节点过长将增加布线电感，从而导致高频尖峰噪声增大，大部分情况都会带来不好的影响。为了改善此高频尖峰噪声，可采用增加rc缓冲电路的方法进行处理。
由于此缓冲电路需要配置在开关mosfet q2和ic的gnd引脚的最近处，因此我们建议提前准备好用于缓冲电路的电阻rs和电容器cs的焊盘。
请注意，在缓冲电路的开关动作中始终会产生损耗，这是导致效率下降的主要原因，这一点请务必知悉。可能需要在降低开关节点尖峰噪声和确保效率之间进行权衡。
理想的缓冲电路配置示例
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