SanDisk发布业界领先的19纳米SSD
瞄准超轻薄超极本（ultrabook）、笔记本电脑及平板装置终端用户对于更高运算效能与反应速度的ssd需求，sandisk已率先业界发布采用19纳米（nm）nand flash制造的固态硬盘（ssd ），以迎合消费者和个人电脑（pc）制造商对于更高运算效能及更快反应速度的要求。
sandisk客户储存解决方案行销总监cliff sun表示，现阶段，三星（samsung）、英特尔（intel）、美光（micron）、东芝（toshiba）及sandisk前五大ssd供应商中，仅有sandisk拥有自己的储存型快闪记忆体（nand flash）晶圆厂，因此旗下ssd的成本更具竞争力，且能更快导入先进奈米制程投产新一代ssd方案。
sandisk客户储存解决方案行销总监cliff sun
据了解，sandisk采用先进19奈米制程的ssd，还导入自家的智慧快闪记忆体架构--专利高效能分层系统架构（high-performance tiered system architecture），以及该公司独家的ncache加速技术，可达到更高性能、更快反应速度及更省电的水准。
sun指出，该公司采用19奈米制程量产的ssd，每秒连续读写速度高达550mb/s，随机读取最高达95，000的每秒输入输出运转次数（iops），以及随机写入可达78，000 iops，因此更能满足游戏玩家与多媒体终端消费者用的笔记型电脑和平板装置对于效能与反应速度的要求。
此外，为进一步协助笔电、ultrabook及平板装置品牌客户降低整体物料清单（bom）成本，sandisk利用19奈米制程生产的新款ssd将内建自行开发的主控制器。不过sun强调，尽管该公司已为19奈米ssd开发出专属的控制器，但目前其他系列产品线仍持续采用美满电子（marvell）、lsi、sk hynix等控制器业者供应的产品，至于对外采购的控制器比重则无法透露。
另一方面，针对二维（2d）nand flash将于10奈米制程面临微缩瓶颈，sun认为，im flash与东芝正擘画的3d nand制程可望突破nand flash微缩关卡，预期将成为nand flash生产技术的大势所趋，不过该制程技术导入量产仍面临诸多挑战，因此日后sandisk将会视客户需求，再提出发展3d nand制程的相关计画。
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