ST发布业界先进功率MOSFET系列产品
意法半导体（st）推出拥有高可靠性、高能效的新系列功率产品电晶体，可支援科技企业满足日益严格的生态设计标準的要求，锁定太阳能微逆变器、太阳能串列式逆变器（photovoltaic string inverter）以及电动车等绿色能源应用。
新元件包括业界首个可承受950v峰值电压的超接面（super-junction）电晶体（mosfet）、同类产品中能效最高的900v电晶体以及市场上唯一採用省空间powerflat 8×8 hv超薄封装的850v元件。超接面技术可提高mosfet的工作电压，降低导通电阻-晶片尺寸比，使电源产品在缩减总体封装尺寸的同时提高系统可靠性和能效。
意法半导体是超接面mosfet的主要供应商，提供市场上额定电压最高的解决方案，同时还是市场上仅有的两家900v超接面电晶体供应商之一。此外，该系列产品不久后将增加新款800v元件。
在展示supermesh 5元件的高能效的同时，意法半导体还公佈了首个成功应用超高压mosfet的客户设计。意大利固态照明创新企业tci在其最新的led驱动器设计中採用ledipak封装的950v stu6n95k5做主电源开关，为设计先进且功能丰富的led照明灯提供电源，使其成为高成本效益的小型led照明市场的能效标竿。意法半导体功率电晶体产品部行销总监maurizio giudice表示：「意法半导体最新的supermesh 5技术让tci在市场建立最高的能效和安全係数，为客户提供极具吸引力的价值主张。」
意法半导体新的超接面mosfet的其它主要应用包括平面电视、pc电源、led照明驱动器及气体放电式灯（high intensity discharge lamp，hid）的电子安定器（electronic ballast）。mosfet将让设计人员能够达到能源之星和欧洲的能源相关产品法规（erp） 等生态设计标準中日益严格的能效上限和下限要求。
例如，最新能源之星电视产品技术要求（5.3版）提出了更严格的生态设计规定，50吋以上的平面电视的最大绝对功率为108.0瓦。同时erp的照明法规提高了2012-2017年间製造的各类hid灯的能效下限标準。
意法半导体新的超接面mosfet耐高压特性可提高系统安全性和可靠性。对于hid灯安定器和其它以电源线或更高电压为电源的系统，例如太阳能微逆变器和电动汽车充电站，耐高压是一个重要优势。为最大幅度减少电动汽车的充电时间和工作成本，充电站需要极高的功率转换效率。在微型发电机逆变器内，高能效的 mosfet让设计人员能够使用更高的开关频率，输出高品质的ac电能，同时降低能耗和解决方案尺寸。
supermesh 5 mosfet的主要特性：
新的mosfet电晶体是首批採用意法半导体的supermesh 5第五代超接面技术的产品。新产品包括採用不同封装的900v stx21n90k5、950v stx20n95k5以及950v stx6n95k5。stl23n85k5 850v採用powerflat 8×8 hv高压表面贴装封装，占板面积为64mm2，较工业标準的d2pak封装小56%。此外，这款产品的高度为1mm，较工业标準的d2pak封装低77%，适用于超薄型应用设计。
900v stp21n90k5的灵敏值（figure of merit，fom）反映了该产品开启电源以及开启和关闭时的总体能效，较市场上唯一可比产品低62.5%。如果不使用其它品牌而选用stp21n90k5，设计人员即可大幅提高能效。
新supermesh 5产品已开始提供样品或接受订单。
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在展示supermesh 5元件的高能效的同时，意法半导体还公佈了首个成功应用超高压mosfet的客户设计。意大利固态照明创新企业tci在其最新的led驱动器设计中採用ledipak封装的950v stu6n95k5做主电源开关，为设计先进且功能丰富的led照明灯提供电源，使其成为高成本效益的小型led照明市场的能效标竿。意法半导体功率电晶体产品部行销总监maurizio giudice表示：「意法半导体最新的supermesh 5技术让tci在市场建立最高的能效和安全係数，为客户提供极具吸引力的价值主张。」
意法半导体新的超接面mosfet的其它主要应用包括平面电视、pc电源、led照明驱动器及气体放电式灯（high intensity discharge lamp，hid）的电子安定器（electronic ballast）。mosfet将让设计人员能够达到能源之星和欧洲的能源相关产品法规（erp） 等生态设计标準中日益严格的能效上限和下限要求。
例如，最新能源之星电视产品技术要求（5.3版）提出了更严格的生态设计规定，50吋以上的平面电视的最大绝对功率为108.0瓦。同时erp的照明法规提高了2012-2017年间製造的各类hid灯的能效下限标準。
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supermesh 5 mosfet的主要特性：
新的mosfet电晶体是首批採用意法半导体的supermesh 5第五代超接面技术的产品。新产品包括採用不同封装的900v stx21n90k5、950v stx20n95k5以及950v stx6n95k5。stl23n85k5 850v採用powerflat 8×8 hv高压表面贴装封装，占板面积为64mm2，较工业标準的d2pak封装小56%。此外，这款产品的高度为1mm，较工业标準的d2pak封装低77%，适用于超薄型应用设计。
900v stp21n90k5的灵敏值（figure of merit，fom）反映了该产品开启电源以及开启和关闭时的总体能效，较市场上唯一可比产品低62.5%。如果不使用其它品牌而选用stp21n90k5，设计人员即可大幅提高能效。
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