Science Advances：室内光伏唤醒世界上第一块太阳能电池！
01 研究背景
世界上第一块太阳能电池是由美国科学家charles fritts于1883年基于硒（se）构建而成，开启了现代光伏领域。然而se带隙较宽（~1.9 ev），限制了其对太阳光的充分吸收，后续发展受阻。近年来，物联网领域的高速发展带动了能为之供能的室内光伏领域的快速发展。室内光伏电池可吸收室内环境中低强度光进而输出微瓦到毫瓦的电能，被公认为是驱动低功耗物联网传感器的最佳供能方式之一。se吸收光谱与室内光源发射光谱完美匹配（均位于可见光区），致使其室内理论光伏转换效率极限高达55%；同时se具有高吸收系数、强稳定性、组成简单、绿色无毒、价格低廉等优势，是理想的室内光伏吸收层材料。然而，关于se室内光伏方面的系统研究，目前尚未见报道。
02 本文亮点
1. 本工作率先挖掘了“古老”se电池在“年轻”室内光伏领域的独特优势：本征带隙在室内光伏最佳带隙区间（1.8-1.9 ev）；高吸收系数及低长晶温度，可薄膜柔性化，易于传感器集成；低剂量下绿色无毒（se为人体必需微量元素）；光伏相三方se为热力学最稳定相；成本低廉，1 m2 se薄膜成本约为0.8元（1 微米膜厚）。
2. 揭示了te添加层通过成键桥连se吸收层与tio2电子收集层带来的界面缺陷钝化作用。进一步通过优化te钝化层覆盖度，大幅提升了se室内光伏电池光电转换效率。
3. 制备出室内光电转换效率达15.1%的se电池，优于目前商业化的室内光伏非晶硅电池性能，成功驱动了物联网定位传感器rfid电子标签，展示在其在物联网领域的极大应用前景。
03 图文解析
▲图1.se在室内光伏领域的独特优势
要点：
1. 通过对比太阳光和室内光（发光二极管（led）和荧光灯（fl））发射光谱，明确了室内光伏电池吸收层材料的最佳带隙在1.8-1.9 ev。
2. se带隙（~1.88 ev）恰好位于室内光伏最佳带隙区间范围内，其室内理论光电转换效率高达55%。
3. 同时，se具有高吸收系数（105 cm-2）、低熔点（217℃）、绿色无毒、成本低廉等优势，是室内光伏吸收层的理想材料。
▲图2. se电池在标准太阳光和室内光下性能对比
要点
1. se光伏器件采用顶衬结构，电子收集层采用环境友好的tio2，器件整体无毒，对环境和人体无害，适合在室内环境下使用。
2. 对比了标准太阳光和室内光（1000 lux）照射下，te添加层厚度分别为0.5、2.5和5 nm时的器件性能。测试表明：在标准太阳能光和室内光下，te的最佳厚度不同。太阳光下te最佳厚度为0.5 nm，器件最高效率为5.8%。该效率为目前tio2/se异质结太阳能电池最高效率；室内光下te最佳厚度为2.5 nm，从而说明标准太阳光下的电池优化条件并不能直接对应室内光伏电池的最佳条件。
▲图3. te添加层的桥连钝化作用
要点
1. 相较于标准太阳光光强（100 mw cm-2），室内光光强通常仅为 《 1%个太阳，产生的光生载流子浓度极低，若se/tio2界面处存在高密度缺陷，会导致界面复合损失。
2. 通过dft计算表明，se-o成键活化能较高，难以成键，从而导致se/tio2界面间存在大量悬挂键缺陷。
3. se和te同族，化学性质接近，二者可以通过共价键连接。同时由于te-o成键活化能低，te易于tio2成键，因此在se和tio2功能层间引入te层，可通过se-te和o-te成键实现界面桥连，钝化界面缺陷。
4. 进一步优化了te添加层的覆盖度，当te厚度在2.5 nm时，界面缺陷浓度从3.9 × 1012 cm−2降低至6.5 × 1011 cm−2，从而解释了该厚度下最优的se室内光伏电池性能。当进一步增加te厚度时，虽覆盖率进一步提高，但过多te会导致并联电阻减小，器件性能开始快速下降。
▲图4. se电池组件驱动物联网传感器
要点
在1000 lux室内光照射下，所制备的se光伏电池光电转换效率达15.1%；未封装器件在1000 lux室内光照射1000小时后，性能未见衰减。同时所制备的se串联电池组件成功驱动了物联网定位rfid电子标签，展示了se室内光伏器件在物联网领域供能方面的巨大应用潜力。
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02 本文亮点
1. 本工作率先挖掘了“古老”se电池在“年轻”室内光伏领域的独特优势：本征带隙在室内光伏最佳带隙区间（1.8-1.9 ev）；高吸收系数及低长晶温度，可薄膜柔性化，易于传感器集成；低剂量下绿色无毒（se为人体必需微量元素）；光伏相三方se为热力学最稳定相；成本低廉，1 m2 se薄膜成本约为0.8元（1 微米膜厚）。
2. 揭示了te添加层通过成键桥连se吸收层与tio2电子收集层带来的界面缺陷钝化作用。进一步通过优化te钝化层覆盖度，大幅提升了se室内光伏电池光电转换效率。
3. 制备出室内光电转换效率达15.1%的se电池，优于目前商业化的室内光伏非晶硅电池性能，成功驱动了物联网定位传感器rfid电子标签，展示在其在物联网领域的极大应用前景。
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▲图1.se在室内光伏领域的独特优势
要点：
1. 通过对比太阳光和室内光（发光二极管（led）和荧光灯（fl））发射光谱，明确了室内光伏电池吸收层材料的最佳带隙在1.8-1.9 ev。
2. se带隙（~1.88 ev）恰好位于室内光伏最佳带隙区间范围内，其室内理论光电转换效率高达55%。
3. 同时，se具有高吸收系数（105 cm-2）、低熔点（217℃）、绿色无毒、成本低廉等优势，是室内光伏吸收层的理想材料。
▲图2. se电池在标准太阳光和室内光下性能对比
要点
1. se光伏器件采用顶衬结构，电子收集层采用环境友好的tio2，器件整体无毒，对环境和人体无害，适合在室内环境下使用。
2. 对比了标准太阳光和室内光（1000 lux）照射下，te添加层厚度分别为0.5、2.5和5 nm时的器件性能。测试表明：在标准太阳能光和室内光下，te的最佳厚度不同。太阳光下te最佳厚度为0.5 nm，器件最高效率为5.8%。该效率为目前tio2/se异质结太阳能电池最高效率；室内光下te最佳厚度为2.5 nm，从而说明标准太阳光下的电池优化条件并不能直接对应室内光伏电池的最佳条件。
▲图3. te添加层的桥连钝化作用
要点
1. 相较于标准太阳光光强（100 mw cm-2），室内光光强通常仅为 《 1%个太阳，产生的光生载流子浓度极低，若se/tio2界面处存在高密度缺陷，会导致界面复合损失。
2. 通过dft计算表明，se-o成键活化能较高，难以成键，从而导致se/tio2界面间存在大量悬挂键缺陷。
3. se和te同族，化学性质接近，二者可以通过共价键连接。同时由于te-o成键活化能低，te易于tio2成键，因此在se和tio2功能层间引入te层，可通过se-te和o-te成键实现界面桥连，钝化界面缺陷。
4. 进一步优化了te添加层的覆盖度，当te厚度在2.5 nm时，界面缺陷浓度从3.9 × 1012 cm−2降低至6.5 × 1011 cm−2，从而解释了该厚度下最优的se室内光伏电池性能。当进一步增加te厚度时，虽覆盖率进一步提高，但过多te会导致并联电阻减小，器件性能开始快速下降。
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要点
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