关于MOS管、IGBT米勒平台的分析
米勒平台的形成与其材料、制造工艺息息相关，当ge之间电压大于阈值点的时候，管子的ce电压开始下降，但是下降的速度十分缓慢，而c点的电位变化，带动了ge之间电压不在上升，或者这样理解，ige的驱动电流，基本都被用来给gc之间的节电容充电，至于为何一直充不满，个人的理解如下。
第一种理解：c点的电位变化，起始为450v，也就是第一零点水位，当c点水位电压下降，下降到需要补充水的时候，或者可以认为一边下降，一边增加抽取水（电流）的能力，也有说是此电容在变大，也可以这样理解。
第二种理解：此阶段，ce之间的电阻在变小，为何变小可以查阅模拟电路，ge电压增大的时候，pn结的夹断宽度变宽，同流能力增强，也就是所谓的电导调制效应，所以mos、igbt才能做到功率大，损耗小。
在米勒平台时期，电压迅速下降，电流快速上升，当c点电位下降接近０v时，gc之间电容所抽取的能量电流减弱，vge增大至驱动电压。在米勒尾端到驱动电压幅值点，vgc实际也在减小，只是幅度非常小，同样的ic电流也十分微弱的增大。
驱动电压一段时间不再上升，此时id已经达到最大，而vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，vgs又上升到驱动电压的值，此时mosfet进入电阻区，此时vds彻底降米勒效应的影响：mosfet的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对mosfet的输入电容（主要是栅源极电容cgs）的充放电过程；
当cgs达到门槛电压之后， mosfet就会进入开通状态；当mosfet开通后，vds开始下降，id开始上升，此时mosfet进入饱和区；但由于米勒效应，vgs会持续下来，开通结束。
由于米勒电容阻止了vgs的上升，从而也就阻止了vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（vgs上升，则导通电阻下降，从而vds下降）
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