p型mos管导通条件
p型mos管导通条件
靠在g极上加一个触发电压，使n极与d极导通。对n沟道g极电压为+极性。对p沟道的g极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，n沟道的管子加正向电压即导通，p沟道的管子则加反向电压。一般2v～4v就可以了。
p沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4v，当栅源的电压差为-0.4v就会使ds导通，如果s为2.8v，g为1.8v，那么gs=-1v，mos管导通，d为2.8v。
如果s为2.8v，g为2.8v，vgsw，那么mos管不导通，d为0v，所以，如果2.8v连接到s，要mos管导通为系统供电，系统连接到d，利用g控制。和g相连的gpio高电平要2.8-0.4=2.4v以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果控制g的gpio的电压区域为1.8v，那么gpio高电平的时候为1.8v，gs为1.8-2.8=-1v，mos管导通，不能够关断。
gpio为低电平的时候，假如0.1v，那么gs为0.1-2.8=-2.7v，mos管导通。这种情况下gpio就不能够控制mos管的导通和关闭。
mos管的p沟道 p沟道mos管是指n型衬管底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的mos管。
p沟道mos晶体管的空穴迁移率低，因而在mos晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，pmos晶体管的跨导小于n沟道mos晶体管。此外，p沟道mos晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。pmos因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在nmos电路（见n沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为nmos电路所取代。只是，因pmos电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用pmos电路技术。
p沟道mos管工作原理 正常工作时，p沟道增强型mos管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压vds应为负值，以保证两个p区与衬底之间的pn结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压vgs也应为负。
1、ｖds≠ｏ的情况导电沟道构成后，ｄｓ间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ｉd流通，而且ｉd随vds而增加。
ｉd沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄。当ｖds增大到使ｖgd＝ｖgs（th），沟道在漏极左近呈现预夹断。
2、vds=0时，在栅源之间加负电压vgs，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，ｎ型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，构成耗尽层，随着ｇ、ｓ间负电压的增加，耗尽层加宽。
当vgs增大到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸收到表面，在耗尽层和绝缘层之间构成一个ｐ型薄层，称反型层。
这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的ｖgs称为开启电压vgs（th），vgs到vgs（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样可以用vgs的大小控制导电沟道的宽度。
pmos的vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接vcc时的情况（高端驱动）。需要注意的是，vgs指的是栅极g与源极s的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，并非相对于地的电压。
但是因为pmos导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。不过，大功率仍然使用n沟道mos管。
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如果s为2.8v，g为2.8v，vgsw，那么mos管不导通，d为0v，所以，如果2.8v连接到s，要mos管导通为系统供电，系统连接到d，利用g控制。和g相连的gpio高电平要2.8-0.4=2.4v以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果控制g的gpio的电压区域为1.8v，那么gpio高电平的时候为1.8v，gs为1.8-2.8=-1v，mos管导通，不能够关断。
gpio为低电平的时候，假如0.1v，那么gs为0.1-2.8=-2.7v，mos管导通。这种情况下gpio就不能够控制mos管的导通和关闭。
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p沟道mos晶体管的空穴迁移率低，因而在mos晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，pmos晶体管的跨导小于n沟道mos晶体管。此外，p沟道mos晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。pmos因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在nmos电路（见n沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为nmos电路所取代。只是，因pmos电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用pmos电路技术。
p沟道mos管工作原理 正常工作时，p沟道增强型mos管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压vds应为负值，以保证两个p区与衬底之间的pn结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压vgs也应为负。
1、ｖds≠ｏ的情况导电沟道构成后，ｄｓ间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ｉd流通，而且ｉd随vds而增加。
ｉd沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄。当ｖds增大到使ｖgd＝ｖgs（th），沟道在漏极左近呈现预夹断。
2、vds=0时，在栅源之间加负电压vgs，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，ｎ型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，构成耗尽层，随着ｇ、ｓ间负电压的增加，耗尽层加宽。
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