意法半导体推出新系列IGBT晶体管
意法半导体新系列 igbt晶体管将击穿电压提高到 1350v，最高工作温度拓宽到175°c，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
新推出的stpower ih2系列igbt还提高了功率转换能效，相关参数十分出色，例如，饱和电压 vce(sat)很低，确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低，关断电能得到优化，让工作频率16khz 至 60khz 的单开关准谐振转换器具有更高的能效。
新igbt具有很好的耐变性和能效，非常适合电磁加热设备，包括厨房炉灶、变频微波炉、电饭锅等家用电器。在2kw应用中，意法半导体的新型igbt器件可将功耗降低11%。
此外， vce(sat) 具有正温度系数效应，器件之间紧密的参数分布有助于简化设计，并轻松并联多个 igbt管，以满足高功率应用需求。
该系列先期推出的两款器件25a stgwa25ih135df2 和 35a stgwa35ih135df2 现已量产，采用标准 to-247 长引线功率封装。
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