28纳米FD-SOI制程嵌入式存储器即将问世
samsung foundry准备开始以28纳米fd-soi制程，提供sst-mram以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体（envm）选项。
三星晶圆代工业务（samsung foundry）准备开始以28纳米fd-soi制程，提供sst-mram （spin torque transfer magnetic ram）以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体（envm）选项。
samsung foundry行销暨业务开发负责人kelvin low在接受ee times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28纳米fd-soi嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展，首先是在2017年底进行嵌入式快闪记忆体（eflash）的风险生产（risk production），嵌入式mram （emram）的风险生产则安排在2018年底。
不过low也指出：“我们虽然会同时提供eflash与emram （stt-mram）技术选项，但预期市场需求会导致最后只剩下一种嵌入式非挥发性记忆体方案。”
风险生产指的是晶圆代工厂客户运作其完整电路、并不测试结构，但仍有可能改变制程与设计，以最佳化芯片性能以及改善良率；而因为制程还未最后确定，这类生产对客户来说必须负担风险，因此被称为风险生产。此生产阶段可能会持续数个月时间，而正式提供eflash与emram量产的时程，分别会在2018与2019年。
marm这种非挥发性记忆体技术已经发展多年，最近才有业者everspin technologies提供单独的mram芯片；三星在2011年收购了mram技术新创公司grandis。
要提供28纳米嵌入式非挥发性记忆体得克服许多挑战，产业界公认将快闪记忆体微缩至28纳米节点并不实际，但mram、相变化记忆体（pcm）以及电阻式记忆体（reram）等其他技术选项仍不成熟。28纳米节点eflash的问题包括耐久性以及功耗，而通常soc设计会选择以较不积极的节点来制作嵌入式快闪记忆体电路、放弃微缩。
这也可能是三星先推eflash技术，但预期客户会在长期使用stt-mram；mram在长期看来会是较受欢迎的技术，因为与cmos融合的简易性以及其电压架构，能以最少三层额外光罩就能被整合，而eflash则通常需要6~8层额外光罩。
mram通常是以平面内（in-plane）方式制作，不过也有选项是将磁性层垂直布置以进一步缩小面积；不过low表示，三星不方便透露其emram的制作技术细节。
不过三星在2016年6月于美国德州奥斯汀举行的设计自动化大会（dac）上，确实展示了以28纳米hkmg块状cmos制程生产的独立mram；low表示：“我们的团队正在研究将此成果转移至28纳米fd-soi制程。”
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mram通常是以平面内（in-plane）方式制作，不过也有选项是将磁性层垂直布置以进一步缩小面积；不过low表示，三星不方便透露其emram的制作技术细节。
不过三星在2016年6月于美国德州奥斯汀举行的设计自动化大会（dac）上，确实展示了以28纳米hkmg块状cmos制程生产的独立mram；low表示：“我们的团队正在研究将此成果转移至28纳米fd-soi制程。”
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