Flyback反激变换器RCD吸收电路计算方法
反激变换器需要使用rcd吸收电路rsn、csn和dsn，钳位vds的尖峰电压值不超过功率mosfet管的最大额定值，同时具有一定裕量。开关电压波形vds中，n·vo为次级输出电压反射到初级的电压，vc为电容csn的直流电压，也就是钳位电压。
图1 反激变换器rcd吸收电路
图2 反激变换器vds波形
功率mosfet管关断后，vds电压从0开始上升；当其上升到vin+vc时，吸收电路的二极管dsn导通，vc电压反向加在初级绕组的漏感llk二端，漏感llk去磁，电流从最大值ipk下降。
图3 吸收电路工作波形
当漏感llk的电流从最大值ipk降低到0时，二极管dsn自然关断，二极管dsn导通持续的实际为tsn，ipk等于初级的最大电流。
tsn、ipk等分别为：
二极管dsn导通时，电容csn才能够充电，因此，电容csn充电的平均电流等于二极管dsn平均电流：
其中，qsn为电容csn充电电荷。由吸收电路工作波形，电容csn充电电流和时间t（水平x轴）组成的三角形面积即为qsn，代入tsn得到qsn：
电容csn充电的平均电流为：
相对于开关周期，tsn时间非常小，电容csn放电的平均电流为：
根据电容电荷平衡的原理，在每个开关周期，充电电荷和放电电荷必须相等，充电电流的平均值和放电电流的平均值必须相等，可以得到：
解得电阻rsn为：
电阻rsn功率损耗为：
设计反激变换器时，fs和vo已知，计算确定了n、llk和ipk后，只要设定vc的值，就可以得到rsn的值。
根据系统最大直流电压vin(max)和选取的功率mosfet管的最大额定电压bvdss以及要求的电压裕量vmargin，来设定vc的电压值。例如，如果vin(max)为400v(最大285vac），功率mosfet管的最大额定电压bvdss为650v，电压裕量vmargin为最大额定电压bvdss的15%，97.5v，取100v，那么，vc为：
vc取得越大，vds尖峰电压越高，电压裕量越小，功率损耗越小；vc取得越小，vds尖峰电压越小，电压裕量越大，功率损耗越大。
电容csn放电时，有：
电容csn的电压纹波范围为1-5%，如果取3%，则有：
总结：
1、设定钳位电压vc的值后，即可求出电阻rsn的值。
2、设定电容csn的电压纹波值，即可求出电容csn的值。
3、参数选择要对最大尖峰电压和功率损耗进行折衷设计。
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tsn、ipk等分别为：
二极管dsn导通时，电容csn才能够充电，因此，电容csn充电的平均电流等于二极管dsn平均电流：
其中，qsn为电容csn充电电荷。由吸收电路工作波形，电容csn充电电流和时间t（水平x轴）组成的三角形面积即为qsn，代入tsn得到qsn：
电容csn充电的平均电流为：
相对于开关周期，tsn时间非常小，电容csn放电的平均电流为：
根据电容电荷平衡的原理，在每个开关周期，充电电荷和放电电荷必须相等，充电电流的平均值和放电电流的平均值必须相等，可以得到：
解得电阻rsn为：
电阻rsn功率损耗为：
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根据系统最大直流电压vin(max)和选取的功率mosfet管的最大额定电压bvdss以及要求的电压裕量vmargin，来设定vc的电压值。例如，如果vin(max)为400v(最大285vac），功率mosfet管的最大额定电压bvdss为650v，电压裕量vmargin为最大额定电压bvdss的15%，97.5v，取100v，那么，vc为：
vc取得越大，vds尖峰电压越高，电压裕量越小，功率损耗越小；vc取得越小，vds尖峰电压越小，电压裕量越大，功率损耗越大。
电容csn放电时，有：
电容csn的电压纹波范围为1-5%，如果取3%，则有：
总结：
1、设定钳位电压vc的值后，即可求出电阻rsn的值。
2、设定电容csn的电压纹波值，即可求出电容csn的值。
3、参数选择要对最大尖峰电压和功率损耗进行折衷设计。
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