专访格罗方德Subramani Kengeri：28nm量产致胜关键在于HKMG
本文主要讲述了28nm量产致胜关键在于hkmg。hkmg：high-k绝缘层+金属栅极。hkmg的优势：不管使用gate-first和gate-last哪一种工艺，制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量，而且由于high-k绝缘层的等效氧化物厚度(eot:equivalentoxidethickness)较薄，因此还能有效降低栅极电容。这样晶体管的关键尺寸便能得到进一步的缩小，而管子的驱动能力也能得到有效的改善。缺点：不过采用high-k绝缘层的晶体管与采用硅氧化物绝缘层的晶体管相比，在改善沟道载流子迁移率方面稍有不利。
格罗方德技术长办公室先进技术架构主管subramani kengeri表示，该公司在32nm节点即引进hkmg制程，为更高密度电晶体实现低漏电流效益;相较于至28奈米才改用hkmg的竞争对手，技术成熟度略胜一筹。因此，拥有充足的hkmg制程量产经验，将是格罗方德往后在28奈米，甚至是20奈米先进制程决胜的优势。
图 格罗方德技术长办公室先进技术架构主管subramani kengeri
globalfoundries(全球晶圆)技术长办公室先进技术架构主管subramani kengeri认为，无论是18寸晶圆或euv微影制程的量产，目前都还言之过早。kengeri强调，目前格罗方德的hkmg技术已演进至第三代，专为28、20nm量身打造，并针对无线通讯、行动运算晶片及高阶中央处理器 (cpu)/绘图处理器( gpu)，分别提供相应的超低功率(slp)、高效能低漏电(lph)及增强高效能(hpp)三款制程选择。
日前亦于2012年设计自动化会议 (dac)中，展示基于hkmg的28奈米slp晶片验证设计流程，为先进类比/混合讯号(ams)设计提供闸极密度、高效能与低功耗各项优点并存的 生产方案。
由于28nm制程与设计工具须紧密契合，方能因应各项生产挑战。因此，格罗方德亦扩大与明导国际(mentor graphics)、新思科技(synopsys)与益华(cadence)等电子设计自动化(eda)工具商合作，确保将类比矽智财(ip)顺利整合至 数位系统单晶片(soc)。
随着28nm技术臻于完备，格罗方德已拿下不少订单。kengeri指出，2011年第四季，该公司营收已超越联电;且在45奈米以下先进制程的营收比重高达40%，而联电还不到10%。估计在行动风潮持续加温下，两家公司未来营收差距将逐步扩大。
至于在20nm以下的制程技术布局，kengeri指出，行动运算已成推进晶圆生产技术的主要驱动力，故格罗方德将持续聚焦于行动运算晶片制程最佳化，强 攻低电压鳍式场效电晶体(finfet)、超紫外光(euv)微影技术，让制程节点演进赶上摩尔定律(moore*s law)时程;同时也将全力投入下世代18寸晶圆制造设备研发，优化晶圆量产成本。
此外，格罗方德亦与ibm、三星(samsung)及意法半导体 (st)组成国际半导体发展联盟(isda)，共同为半导体先进制程挹注研发资源;而历经近一年发展后，自该联盟产出的技术专利，格罗方德已高占76%比重。kengeri认为，挟部署hkmg、finfet多项制程专利优势，格罗方德可望在未来几年的行动运算处理器市场窜红，挑战更高的营收规模。
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格罗方德技术长办公室先进技术架构主管subramani kengeri表示，该公司在32nm节点即引进hkmg制程，为更高密度电晶体实现低漏电流效益;相较于至28奈米才改用hkmg的竞争对手，技术成熟度略胜一筹。因此，拥有充足的hkmg制程量产经验，将是格罗方德往后在28奈米，甚至是20奈米先进制程决胜的优势。
图 格罗方德技术长办公室先进技术架构主管subramani kengeri
globalfoundries(全球晶圆)技术长办公室先进技术架构主管subramani kengeri认为，无论是18寸晶圆或euv微影制程的量产，目前都还言之过早。kengeri强调，目前格罗方德的hkmg技术已演进至第三代，专为28、20nm量身打造，并针对无线通讯、行动运算晶片及高阶中央处理器 (cpu)/绘图处理器( gpu)，分别提供相应的超低功率(slp)、高效能低漏电(lph)及增强高效能(hpp)三款制程选择。
日前亦于2012年设计自动化会议 (dac)中，展示基于hkmg的28奈米slp晶片验证设计流程，为先进类比/混合讯号(ams)设计提供闸极密度、高效能与低功耗各项优点并存的 生产方案。
由于28nm制程与设计工具须紧密契合，方能因应各项生产挑战。因此，格罗方德亦扩大与明导国际(mentor graphics)、新思科技(synopsys)与益华(cadence)等电子设计自动化(eda)工具商合作，确保将类比矽智财(ip)顺利整合至 数位系统单晶片(soc)。
随着28nm技术臻于完备，格罗方德已拿下不少订单。kengeri指出，2011年第四季，该公司营收已超越联电;且在45奈米以下先进制程的营收比重高达40%，而联电还不到10%。估计在行动风潮持续加温下，两家公司未来营收差距将逐步扩大。
至于在20nm以下的制程技术布局，kengeri指出，行动运算已成推进晶圆生产技术的主要驱动力，故格罗方德将持续聚焦于行动运算晶片制程最佳化，强 攻低电压鳍式场效电晶体(finfet)、超紫外光(euv)微影技术，让制程节点演进赶上摩尔定律(moore*s law)时程;同时也将全力投入下世代18寸晶圆制造设备研发，优化晶圆量产成本。
此外，格罗方德亦与ibm、三星(samsung)及意法半导体 (st)组成国际半导体发展联盟(isda)，共同为半导体先进制程挹注研发资源;而历经近一年发展后，自该联盟产出的技术专利，格罗方德已高占76%比重。kengeri认为，挟部署hkmg、finfet多项制程专利优势，格罗方德可望在未来几年的行动运算处理器市场窜红，挑战更高的营收规模。
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