瞬态抑制二极管(TVS)的主要参数？|深圳比创达电子
瞬态抑制二极管(tvs)的主要参数？|深圳比创达电子
瞬态抑制二极管(tvs)的主要参数？相信不少人是有疑问的，今天深圳市比创达电子科技有限公司就跟大家解答一下！
一、最大反向漏电流ir（reverse leakage current）和额定反向关断电压vr=vrwm（stand-off voltage）：vr是tvs的最大直流工作电压，当tvs两极的电压小于vr时，tvs处于关断状态，此时流过的最大反向漏电流为ir；
二、最小击穿电压vbr（breakdown voltage）和测试电流it：vbr是tvs的最小雪崩电压，当反向电压达到vbr时，tvs已变成低阻通路。通常，规定当tvs流过1 ma（it＝1 ma）电流时，其两极间的电压即为最小击穿电压；
三、最大钳位电压vc（clamping voltage）和最大峰值脉冲电流ipp（peak pulse current）：最大峰值脉冲电流ipp流过tvs时的最大峰值电压称为最大钳位电压vc，vc和ipp反映了tvs器件的浪涌抑制能力。
vc和vbr之比称为钳位因子，一般为1.3左右。钳位因子越小，抑制瞬态电压的效果越好。tvs的钳位因子比金属氧化物压敏电阻的钳位因子低很多。因此说tvs要优于金属氧化物压敏电阻；
四、电容c：电容c是由tvs雪崩结截面决定的，是在特定的1 mhz频率下测得的。c的大小与tvs的电流承受能力成正比，c过大将使信号衰减。因此，c是数据接口电路选用tvs的重要参数；
五、最大峰值脉冲功耗pppm（peak pulse power）：最大峰值脉冲功耗是tvs能承受的最大脉冲峰值耗散，一般而言pppm=vc×ipp。
在给定的最大钳位电压下，功耗pppm越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗pppm下，钳位电压vc越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关；
六、钳位响应时间tc：tc是指二极管从关断状态到最小击穿电压vbr的时间，对单极tvs器件tc小于1×10-12s，对双极tvs器件，tc一般小于10ns。
综上所述，相信通过本文的描述，各位对瞬态抑制二极管(tvs)的主要参数都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次给各位讲解些别的内容，咱们下回见啦！也可以关注我司wx公众平台：深圳比创达emc！
以上就是深圳市比创达电子科技有限公司小编给您们介绍的瞬态抑制二极管(tvs)的主要参数的内容，希望大家看后有所帮助！
深圳市比创达电子科技有限公司成立于2012年，总部位于深圳市龙岗区，成立至今一直专注于emc电磁兼容领域，致力于为客户提供最高效最专业的emc一站式解决方案，业务范围覆盖emc元件的研发、生产、销售及emc设计和整改。
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一、最大反向漏电流ir（reverse leakage current）和额定反向关断电压vr=vrwm（stand-off voltage）：vr是tvs的最大直流工作电压，当tvs两极的电压小于vr时，tvs处于关断状态，此时流过的最大反向漏电流为ir；
二、最小击穿电压vbr（breakdown voltage）和测试电流it：vbr是tvs的最小雪崩电压，当反向电压达到vbr时，tvs已变成低阻通路。通常，规定当tvs流过1 ma（it＝1 ma）电流时，其两极间的电压即为最小击穿电压；
三、最大钳位电压vc（clamping voltage）和最大峰值脉冲电流ipp（peak pulse current）：最大峰值脉冲电流ipp流过tvs时的最大峰值电压称为最大钳位电压vc，vc和ipp反映了tvs器件的浪涌抑制能力。
vc和vbr之比称为钳位因子，一般为1.3左右。钳位因子越小，抑制瞬态电压的效果越好。tvs的钳位因子比金属氧化物压敏电阻的钳位因子低很多。因此说tvs要优于金属氧化物压敏电阻；
四、电容c：电容c是由tvs雪崩结截面决定的，是在特定的1 mhz频率下测得的。c的大小与tvs的电流承受能力成正比，c过大将使信号衰减。因此，c是数据接口电路选用tvs的重要参数；
五、最大峰值脉冲功耗pppm（peak pulse power）：最大峰值脉冲功耗是tvs能承受的最大脉冲峰值耗散，一般而言pppm=vc×ipp。
在给定的最大钳位电压下，功耗pppm越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗pppm下，钳位电压vc越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关；
六、钳位响应时间tc：tc是指二极管从关断状态到最小击穿电压vbr的时间，对单极tvs器件tc小于1×10-12s，对双极tvs器件，tc一般小于10ns。
综上所述，相信通过本文的描述，各位对瞬态抑制二极管(tvs)的主要参数都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次给各位讲解些别的内容，咱们下回见啦！也可以关注我司wx公众平台：深圳比创达emc！
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深圳市比创达电子科技有限公司成立于2012年，总部位于深圳市龙岗区，成立至今一直专注于emc电磁兼容领域，致力于为客户提供最高效最专业的emc一站式解决方案，业务范围覆盖emc元件的研发、生产、销售及emc设计和整改。
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