LTspice：简单理想化二极管
ltspice半导体二极管模型对于仿真至关重要，尤其是当您希望看到包括击穿行为和复合电流在内的结果时。然而，尽管ltspice中的半导体二极管模型是完整的，但有时您需要一个简单的“理想化二极管”模型来快速仿真，例如，有源负载、电流源或限流二极管。为了提供帮助，ltspice提供了理想化二极管模型的表示。
要在ltspice中使用这种理想化模型，请为具有唯一名称的二极管（d）插入.model语句，并定义以下一个或多个参数：ron，roff，vfwd，vrev或rrev。
.model myidealdiode d（ron=1 roff=1meg vfwd=1 vrev=2）
ltspice中的理想化二极管模型具有三个线性导通区域：开通、关断和反向击穿。正向导通和反向击穿可以使用电流限制参数ilimit和revilimit进一步指定。
.model myidealdiode d（ron=1 roff=1meg vfwd=1 vrev=2 ilimit=1 revilimit=1
此外，为了平滑关闭和导通状态之间的切换，还可以定义 epsilon 和 revepsilon 参数。
.model myidealdiode d（ron=1 roff=1meg vfwd=1 vrev=2 ilimit=1 revilimit=1 epsilon=1 revepsilon=1）
在关断和导通状态之间也使用二次函数，使得理想化的二极管iv曲线在值和斜率上是连续的，因此在epsilon和revepsilon值指定的电压上发生跃迁。
在原理图中插入 .model 语句后，可以在元件属性中编辑二极管符号的值（ctrl + 右键单击），以匹配您在语句中指定的名称。有关ltspice二极管型号的更多信息，请参阅帮助主题（f1）。
为了好玩，在下面的电路示例中，理想化二极管模型用于模拟mosfet在其他非同步降压控制器中的rds（on）。通过使用理想化的二极管模型代替传统的肖特基二极管，可以轻松比较同步整流的导通损耗。
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.model myidealdiode d（ron=1 roff=1meg vfwd=1 vrev=2 ilimit=1 revilimit=1
此外，为了平滑关闭和导通状态之间的切换，还可以定义 epsilon 和 revepsilon 参数。
.model myidealdiode d（ron=1 roff=1meg vfwd=1 vrev=2 ilimit=1 revilimit=1 epsilon=1 revepsilon=1）
在关断和导通状态之间也使用二次函数，使得理想化的二极管iv曲线在值和斜率上是连续的，因此在epsilon和revepsilon值指定的电压上发生跃迁。
在原理图中插入 .model 语句后，可以在元件属性中编辑二极管符号的值（ctrl + 右键单击），以匹配您在语句中指定的名称。有关ltspice二极管型号的更多信息，请参阅帮助主题（f1）。
为了好玩，在下面的电路示例中，理想化二极管模型用于模拟mosfet在其他非同步降压控制器中的rds（on）。通过使用理想化的二极管模型代替传统的肖特基二极管，可以轻松比较同步整流的导通损耗。
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