2Mbit串行FRAM存储器FM25V20A-DGQTR的功能及特征
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fm25v20a-dgqtr功能介绍
fm25v20a-dgqtr是采用先进铁电工艺的2mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或fram是非易失性的，并且执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了121年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，eeprom和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和eeprom不同，fm25v20a-dgqtr以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。fm25v20a-dgqtr能够支持1014个读/写周期，或比eeprom多1000万倍的写周期。
这些功能使fm25v20a-dgqtr非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（可能是关键的写入周期数）到要求严格的工业控制，而串行闪存或eeprom的长时间写入会导致数据丢失。
fm25v20a-dgqtr为串行eeprom或闪存的用户提供了可观的好处，可作为硬件的替代产品。fm25v20a-dgqtr使用高速spi总线，从而增强了fram技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备id，该id允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+105℃的扩展温度范围内保证器件的规格。
特征
逻辑组织为256k×8的2mbit铁电随机存取存储器（fram）
高耐用性10万亿（1014）读/写
121年的数据保留
nodelay™写道
先进的高可靠性铁电工艺
极快的spi
高达33mhz的频率
直接更换串行闪存和eeprom的硬件
支持spi模式0（0，0）和模式3（1，1）
复杂的写保护方案
使用写保护（wp）引脚进行硬件保护
使用禁止写入指令进行软件保护
适用于1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
设备id
制造商id和产品id
低功耗
在33mhz时有3.0ma有功电流
400µa待机电流
12µa睡眠模式电流
低压操作：vdd=2.0v至3.6v
扩展温度：–40℃至+105℃
8引脚薄型双扁平无引线（dfn）封装
符合有害物质限制（rohs）
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fm25v20a-dgqtr是采用先进铁电工艺的2mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或fram是非易失性的，并且执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了121年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，eeprom和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和eeprom不同，fm25v20a-dgqtr以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。fm25v20a-dgqtr能够支持1014个读/写周期，或比eeprom多1000万倍的写周期。
这些功能使fm25v20a-dgqtr非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（可能是关键的写入周期数）到要求严格的工业控制，而串行闪存或eeprom的长时间写入会导致数据丢失。
fm25v20a-dgqtr为串行eeprom或闪存的用户提供了可观的好处，可作为硬件的替代产品。fm25v20a-dgqtr使用高速spi总线，从而增强了fram技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备id，该id允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+105℃的扩展温度范围内保证器件的规格。
特征
逻辑组织为256k×8的2mbit铁电随机存取存储器（fram）
高耐用性10万亿（1014）读/写
121年的数据保留
nodelay™写道
先进的高可靠性铁电工艺
极快的spi
高达33mhz的频率
直接更换串行闪存和eeprom的硬件
支持spi模式0（0，0）和模式3（1，1）
复杂的写保护方案
使用写保护（wp）引脚进行硬件保护
使用禁止写入指令进行软件保护
适用于1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
设备id
制造商id和产品id
低功耗
在33mhz时有3.0ma有功电流
400µa待机电流
12µa睡眠模式电流
低压操作：vdd=2.0v至3.6v
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