“世界日趋复杂,技术向前发展遇到了越来越多的问题,要更好地应对挑战,就需要差异化解决方案。”在第六届上海fd-soi论坛上,格芯fab1厂总经理兼高级副总裁thomas morgenstern表示,fd-soi(全耗尽平面晶体管)工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
格芯fab1厂总经理兼高级副总裁
thomas morgenstern
随着格芯在不久前宣布停止开发7纳米finfet工艺,全球主要芯片制造厂商中,只剩下台积电、三星和英特尔有明确的7纳米及以下先进工艺路线图,中芯国际有可能继续投入先进工艺,其余厂商技术投入都停在10纳米以上工艺节点。对三巨头之外的芯片制造商,在逻辑工艺上,除了改进原有的体硅工艺,向fd-soi方向发展越来越值得考虑。
当然,大多数厂商停止在finfet上继续投入并不意味着fd-soi工艺将是一片坦途。fd-soi工艺发展最大的局限仍然是生态不够完善,由于开发最先进工艺越来越难,eda厂商、ip厂商以及其他生态配套厂商不得不将更多的资源投入到先进工艺上,所以fd-soi阵营在ip建设、量产经验与应用推广上还有很多工作需要去做。
虽然生态还不够完善,但与前些年相比,fd-soi工艺也取得了长足进步。格芯22纳米fd-soi工艺签约设计金额超过20亿美元,50多家客户遍及全球,应用领域更是遍及物联网、通信、工业、数字加密货币、汽车与国防军工等各方面。
三星电子高级副总裁gitae jeong
三星电子的28纳米fd-soi工艺已经量产5颗产品,在良率方面进步很快,截至目前平均缺陷密度(do)小于0.15,2018年又有16颗新产品流片。三星电子高级副总裁gitae jeong在演讲中举了几个客户案例,在射频、模拟等领域采用fd-soi工艺的受益非常明显,某客户采用三星28纳米fds工艺生产的射频芯片,相比原来的40纳米工艺,射频部分功耗降低了76%,芯片整体功耗降低了65%。三星还和nxp、cadence联合开发了i.mx系列产品,过去两年多次流片。
芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民则表示,2013年,第一届fd-soi论坛在上海召开时,大家还在探讨该技术在中国的可行性。这六年来,在产业界同仁一步一个脚印的坚定推动下,今年的会议已经开始探讨fd-soi的量产化,其进步和发展成就显著,产业力量也在不断壮大。目前,该技术基于其低功耗、射频集成等优势,已经在很多领域取得了成功应用。随后,戴伟民在会中列举了部分汽车电子、物联网应用的成功案例,并展示了芯原目前的fd-soi ip积累。
芯原微电子创始人、董事长兼总裁
戴伟民
ibs总裁handel jones对目前主流逻辑工艺成本进行了分析,他表示22纳米fd-soi工艺单位电路门成本可与28纳米hkmg体硅工艺相当,而12纳米fd-soi工艺的单位电路门成本则比finfet工艺(16纳米、10纳米或7纳米)都要低。主要原因是fd-soi工艺光罩工艺大大简化,所以分摊下来单位成本更低,即使考虑到fd-soi工艺所用衬底价格还比较高,综合成本也比finfet要低。
ibs总裁handel jones
handel jones还对图像处理芯片(isp)在fd-soi领域的前景非常看好,他认为无论是模拟功能、噪声还是功耗,fd-soi工艺都比22纳米体硅工艺或16纳米finfet工艺要好,而成本上的优势则更加明显,在fd-soi生态完善后,使用fd-soi工艺的isp将会大量增加。随着各领域图像应用的爆发式增长,handel jones预计到2017年isp芯片每年需要196亿颗,折算成产能,每年需要晶圆制造厂的产能为1010万片晶圆。
在随后的“哪些市场和应用将率先使用fd-soi技术”的圆桌讨论中,嘉宾们就fd-soi在中国布局的战略意义、fd-soi技术的市场主推力、fd-soi成为物联网应用主流工艺的时间节点等问题展开了探讨。多数嘉宾认为,fd-soi工艺大规模应用,还需要3到5年的时间,过程是否顺利主要取决于三点:首先,ip等生态建设何时完善;其次,市场需求能否被激发;最后,是否有政府支持。三星电子的gitae jeong对fd-soi大规模商用的进度最为乐观,他认为最早到2020年第二季度就可以实现。
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