高速H桥上管驱动电路
高速h桥上管驱动电路
上例方案的速度瓶颈为光耦，如果不采用光耦那么控制信号的频率可以提高很多。通过试验，我们开发了如下的高速型h桥上管驱动电路。方案如图9所示。
图中上管控制信号高电平为+l2 v，低电平为0 v。控制信号通过电阻电容和二极管电路加到q1的基极，q1的集电极输出作为
图9 高速h桥上管驱动电路
fig．9 high speed h-bddge highside driving
q2，q3组成的差动驱动电路控制信号，差动电路的输出作为ml的驱动信号。q2，q3组成的差动驱动电路上端q2接 +l2 v电源，下端q3接到ml的s极。当上管控制信号为低电平时，q2导通，q3截止，ml的g极约为 d+l2 v，使ml可顺利导通。ml导通后，其d极和s极之间为通路，几乎没有压降，此时s极也为l，dd，则ml的g和s之间的压差为l2 v，满足mos管的导通条件，ml可维持导通状态。当上管控制信号变为高电平时，q2截止，q3导通，使ml的g和s极之间压差很小，不能满足mos管的导通条件，则ml截止。需要指出的是，当q2导通m1尚未导通的瞬间，ml的g和s间压差为l，dd+l2 v，但由于mos管的开启时间极短(几十us)，q2导通时，ml几乎同时开启，使mj的g和s之问的压差保证为12v(如图10)。
高速h桥上管驱动信号畸变
fig．10 signal transmogrification of high speed h-bddge
图9所示的上管驱动电路有很强的驱动能力，并具有很高的极限频率，使用这个驱动电路来驱动mos管，能使mos管的控制信号在较高的频率(20 k以上)下不失真。
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图9 高速h桥上管驱动电路
fig．9 high speed h-bddge highside driving
q2，q3组成的差动驱动电路控制信号，差动电路的输出作为ml的驱动信号。q2，q3组成的差动驱动电路上端q2接 +l2 v电源，下端q3接到ml的s极。当上管控制信号为低电平时，q2导通，q3截止，ml的g极约为 d+l2 v，使ml可顺利导通。ml导通后，其d极和s极之间为通路，几乎没有压降，此时s极也为l，dd，则ml的g和s之间的压差为l2 v，满足mos管的导通条件，ml可维持导通状态。当上管控制信号变为高电平时，q2截止，q3导通，使ml的g和s极之间压差很小，不能满足mos管的导通条件，则ml截止。需要指出的是，当q2导通m1尚未导通的瞬间，ml的g和s间压差为l，dd+l2 v，但由于mos管的开启时间极短(几十us)，q2导通时，ml几乎同时开启，使mj的g和s之问的压差保证为12v(如图10)。
高速h桥上管驱动信号畸变
fig．10 signal transmogrification of high speed h-bddge
图9所示的上管驱动电路有很强的驱动能力，并具有很高的极限频率，使用这个驱动电路来驱动mos管，能使mos管的控制信号在较高的频率(20 k以上)下不失真。
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