当碳化硅遇见新能源：瞻芯电子邀您共同探索高效能源转换技术边界
7月11日-13日，瞻芯电子将亮相慕尼黑上海电子展，并展示全系列碳化硅功率半导体和芯片产品。我们将重点围绕新能源汽车应用、光伏与储能、充电桩领域，展示适用的碳化硅(sic)mosfet、碳化硅(sic)二极管和功率模块，以及驱动芯片和参考设计方案。
我们诚挚地邀请各界朋友们莅临参观，期待与您共同交流探讨更高效、更紧凑、更可靠的能源转换应用方案，共同推动产业创新与发展。
展会信息
日期：2023年7月11-13日 展馆：上海国家会展中心，7.2h展馆c210 参观时间：9：00-17：00
产品概览
瞻芯电子已开发量产了650v-1700v平台的碳化硅(sic)mosfet、肖特基二极管及功率模块产品，规格参数齐全，且有多种贴片、插件、模块封装。同时，我们还围绕碳化硅(sic)应用，开发了多种系列栅极驱动芯片，包括sic专用驱动、通用驱动、隔离型驱动。此外，瞻芯电子首创了一系列ccm模拟控制芯片。
参考设计方案
1、20kw充电桩模块
该方案采用崭新架构：电流源pfc+dc-x，利用电池作为超级电容，以减少了pfc输出电容，再通过切换llc级变压器匝数比，使dc-x在最佳效率点运行，让器件开关频率提高了2-3倍，增加了系统功率密度、可靠性。
2、2.5kw 图腾柱pfc电源
该方案采用简单高效率的无桥功率因数校正电路，适用于钛金级ac/dc 交直流变换器设计。因采用ccm模拟控制芯片，而实现快速、精确、可靠的模拟控制，无需编程，节约开发时间和成本，从而快速开发并推向市场。该方案额定功率为2.5kw，效率高达99%。拓扑图如下：
本方案中控制芯片为瞻芯电子开发图腾柱模拟控制芯片ivcc1102，q1 和q2 是高频臂sic mosfet，采用了650v 60mω sic mosfet（iv1q06060t4），高频臂的两颗驱动芯片为sic 专用·比邻驱动tmivcr1401。q3 和q4 是低频臂si mosfet。
延申阅读：瞻芯电子ccm图腾柱pfc模拟控制ic获“中国电源学会科学技术奖”
3、11kw 三相桥电机驱动方案
该方案为车载空压机驱动而设计，功率高达11kw，下桥共用一组驱动电源，上桥自举供电，同时采用开尔文栅极接法，避免了驱动回路与功率回路耦合，因而方案具备高频率、高效率、高功率密度等特点。该方案所采用三相塑封模块与比邻驱动tm芯片，也适用于车载充电机(obc)。
核心元器件简介：ivtm12080ta1z：三相桥塑封功率模块：1200v sic mosfet inside（车规级设计）采用氮化铝陶瓷基板，散热性能好。ivcr1401: sic 专用·比邻驱动tm芯片，采用8pin紧凑封装，且集成了负压驱动、uvlo与故障警报，退饱和保护与内置消隐、负压电源等功能。4、200w 反激电源该方案是一款反激式辅助电源，可适应300v-1000v的超宽范围供电工作，输出24vdc，使用方便灵活，峰值效率可达90%+，适用于多种场景的辅助电源、开关电源，能提高高功率密度，简化电路设计。该方案中核心器件为车规级to263-7封装的1700v sic mosfet产品。
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展会信息
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产品概览
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参考设计方案
1、20kw充电桩模块
该方案采用崭新架构：电流源pfc+dc-x，利用电池作为超级电容，以减少了pfc输出电容，再通过切换llc级变压器匝数比，使dc-x在最佳效率点运行，让器件开关频率提高了2-3倍，增加了系统功率密度、可靠性。
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本方案中控制芯片为瞻芯电子开发图腾柱模拟控制芯片ivcc1102，q1 和q2 是高频臂sic mosfet，采用了650v 60mω sic mosfet（iv1q06060t4），高频臂的两颗驱动芯片为sic 专用·比邻驱动tmivcr1401。q3 和q4 是低频臂si mosfet。
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3、11kw 三相桥电机驱动方案
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