MOS 管为什么要并联个二极管？
mos管并联的二极管，此二极管叫寄生二极管。
寄生二极管的由来是由生产工艺造成的，大功率mos管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率mos管例如集成芯片中的mos管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率mos管的结构，所以没有这个二极管。但d极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接s极，因此自然在ds之间有二极管。如果在ic里面，n—mos衬底接最低的电压，p—mos衬底接最高电压，不一定和s极相连，所以ds之间不一定有寄生二极管。
1、mos管寄生二极管，作用是防止vcc过压的情况下，烧坏mos管。
2、防止管子的源极和漏极反接时烧坏mos管。
3、 防止静电烧坏mos管
mos管源极和漏极的区别
mosfet是一种三端器件，其三个电极分别是栅极、漏极和源极。在mosfet中，栅极可以控制漏极和源极之间的电流流动。下面是mosfet源极和漏极的区别：
漏极：mosfet的漏极是输出端，也是承受负载电流的地方。当栅极和源极之间施加电压时，漏极和源极之间的电流将被激活。
源极：mosfet的源极是输入端，也是承受控制电压的地方。当栅极和源极之间施加电压时，它将控制漏极和源极之间的电流，从而控制mosfet的输出。
mosfet的源极和漏极之间的电阻和电压可能会不同。当mosfet处于开关状态时，源极和漏极之间的电阻非常小，而当mosfet处于关闭状态时，源极和漏极之间的电阻非常大。
指代不同
1、源极：简称场效应管。t仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少ic内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。
原理不同
1、源极：在一块n型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的p型区（用p+表示），就形成两个不对称的p+n结。把两个p+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在n型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个p区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在n型硅片两端各引出一个电极。
特点不同
1、源极：属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点
2、漏极：可以将多个开漏输出的pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是i2c，smbus等总线判断总线占用状态的原理。
总之，mosfet的源极和漏极分别承担着不同的功能，源极是输入端，用于控制漏极和源极之间的电流，而漏极是输出端，用于承受负载电流。在实际应用中，需要根据具体的电路需求选择合适的mosfet，并合理设计电路来充分利用mosfet的特性。
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源极：mosfet的源极是输入端，也是承受控制电压的地方。当栅极和源极之间施加电压时，它将控制漏极和源极之间的电流，从而控制mosfet的输出。
mosfet的源极和漏极之间的电阻和电压可能会不同。当mosfet处于开关状态时，源极和漏极之间的电阻非常小，而当mosfet处于关闭状态时，源极和漏极之间的电阻非常大。
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2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少ic内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。
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2、漏极：将两个p区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在n型硅片两端各引出一个电极。
特点不同
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2、漏极：可以将多个开漏输出的pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是i2c，smbus等总线判断总线占用状态的原理。
总之，mosfet的源极和漏极分别承担着不同的功能，源极是输入端，用于控制漏极和源极之间的电流，而漏极是输出端，用于承受负载电流。在实际应用中，需要根据具体的电路需求选择合适的mosfet，并合理设计电路来充分利用mosfet的特性。
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