FM25V10-GTR是采用先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器
fm25v10-gtr是采用先进铁电工艺的1mbit非易失性存储器。铁电存储器或fram是非易失性的，并且执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，eeprom和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
fm25v10-gtr是串行fram存储器。存储器阵列在逻辑上被组织为131，072×8位，并使用行业标准的串行外围设备接口（spi）总线进行访问。fram的功能操作类似于串行闪存和串行eeprom。fm25v10-gtr与具有相同引脚排列的串行闪存或eeprom之间的主要区别在于fram的优越写入性能，高耐用性和低功耗。
与串行闪存和eeprom不同，fm25v10-gtr以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。fm25v10-gtr能够支持1014个读/写周期，或比eeprom多1亿倍的写周期。
这些功能使fm25v10-gtr非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（可能是关键的写入周期数）到苛刻的工业控制，而串行闪存或eeprom的较长写入时间会导致数据丢失。
fm25v10-gtr作为串行eeprom或闪存的用户，可作为硬件的替代品而获得实质性好处。fm25v10-gtr使用高速spi总线，从而增强了fram技术的高速写入能力。fm25vn10提供了唯一的序列号，该序列号是只读的，可用于识别电路板或系统。两种设备都包含一个只读的设备id，主机可以通过该id来确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。
耐力
fm25v10-gtr器件至少可以被访问1014次，可以进行读取或写入。 feram存储器具有读取和还原机制。因此，对于存储阵列的每次访问（读取或写入），将按行施加耐久周期。 fram体系结构基于每个64位的16k行的行和列的阵列。整个行在内部访问一次，无论是读取还是写入一个字节或全部八个字节。在耐久性计算中，该行中的每个字节仅被计数一次。
记忆操作
spi接口具有高时钟频率，彰显了fram技术的快速写入能力。与串行闪存和eeprom不同，fm25v10-gtr可以以总线速度执行顺序写入。不需要页面寄存器，并且可以执行任何数量的顺序写入。
唯一序列号（仅fm25vn10）
fm25vn10器件包含一个只读的8字节序列号。它可以用来唯一地标识电路板或系统。序列号包括一个40位唯一编号，一个8位crc和一个16位编号，可以根据客户的要求进行定义。如果不要求客户特定号码，则16位客户标识符为0x0000。
通过发出snr操作码（c3h）来读取序列号。 8位crc值可用于与控制器计算出的值进行比较。如果两个值匹配，则说明从站和主站之间的通信没有错误。该函数用于计算crc值。为了执行计算，将7个字节的数据按照从该部分读取的顺序填充到内存缓冲区中，即字节7，字节6，字节5，字节4，字节3，字节2，字节1。序列号。计算是对7个字节执行的，结果应与8字节crc值字节0的最后一个字节相匹配。
fqj
电路设计太复杂？这五大总结快速收好
商汤AI大装置亮相2022世界人工智能大会
日本开发100年内无衰减的充电电池
改变电源频率降低EMI性能
影响着3D打印机价格的原因有哪些?
FM25V10-GTR是采用先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器
半导体的特性
汽车芯片短缺是炒作的吗
又一代码清库的惨案发生了，不过这次要背锅是AI
HTC改善业绩的最后一个“救生圈”--VR
智慧电梯得到物联网加持简直如虎添翼
天嵌科技TQA40I开发板介绍
TD-SCDMA业务网络部署
USB基础学习：USB体系结构介绍
砥砺前行，创业钟情“大数据硅谷”！
AIDA64确认其基于GA102、GA106核心打造
爱驰U5 ION自主研发MAS方案
门驱动的欠压保护功能及其注意事项
使用ADC精确测量电阻阻值
三星S8珊瑚蓝再现：延续三星S7传奇
fm25v10-gtr是串行fram存储器。存储器阵列在逻辑上被组织为131，072×8位，并使用行业标准的串行外围设备接口（spi）总线进行访问。fram的功能操作类似于串行闪存和串行eeprom。fm25v10-gtr与具有相同引脚排列的串行闪存或eeprom之间的主要区别在于fram的优越写入性能，高耐用性和低功耗。
与串行闪存和eeprom不同，fm25v10-gtr以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。fm25v10-gtr能够支持1014个读/写周期，或比eeprom多1亿倍的写周期。
这些功能使fm25v10-gtr非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（可能是关键的写入周期数）到苛刻的工业控制，而串行闪存或eeprom的较长写入时间会导致数据丢失。
fm25v10-gtr作为串行eeprom或闪存的用户，可作为硬件的替代品而获得实质性好处。fm25v10-gtr使用高速spi总线，从而增强了fram技术的高速写入能力。fm25vn10提供了唯一的序列号，该序列号是只读的，可用于识别电路板或系统。两种设备都包含一个只读的设备id，主机可以通过该id来确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。
耐力
fm25v10-gtr器件至少可以被访问1014次，可以进行读取或写入。 feram存储器具有读取和还原机制。因此，对于存储阵列的每次访问（读取或写入），将按行施加耐久周期。 fram体系结构基于每个64位的16k行的行和列的阵列。整个行在内部访问一次，无论是读取还是写入一个字节或全部八个字节。在耐久性计算中，该行中的每个字节仅被计数一次。
记忆操作
spi接口具有高时钟频率，彰显了fram技术的快速写入能力。与串行闪存和eeprom不同，fm25v10-gtr可以以总线速度执行顺序写入。不需要页面寄存器，并且可以执行任何数量的顺序写入。
唯一序列号（仅fm25vn10）
fm25vn10器件包含一个只读的8字节序列号。它可以用来唯一地标识电路板或系统。序列号包括一个40位唯一编号，一个8位crc和一个16位编号，可以根据客户的要求进行定义。如果不要求客户特定号码，则16位客户标识符为0x0000。
通过发出snr操作码（c3h）来读取序列号。 8位crc值可用于与控制器计算出的值进行比较。如果两个值匹配，则说明从站和主站之间的通信没有错误。该函数用于计算crc值。为了执行计算，将7个字节的数据按照从该部分读取的顺序填充到内存缓冲区中，即字节7，字节6，字节5，字节4，字节3，字节2，字节1。序列号。计算是对7个字节执行的，结果应与8字节crc值字节0的最后一个字节相匹配。
fqj
电路设计太复杂？这五大总结快速收好
商汤AI大装置亮相2022世界人工智能大会
日本开发100年内无衰减的充电电池
改变电源频率降低EMI性能
影响着3D打印机价格的原因有哪些?
FM25V10-GTR是采用先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器
半导体的特性
汽车芯片短缺是炒作的吗
又一代码清库的惨案发生了，不过这次要背锅是AI
HTC改善业绩的最后一个“救生圈”--VR
智慧电梯得到物联网加持简直如虎添翼
天嵌科技TQA40I开发板介绍
TD-SCDMA业务网络部署
USB基础学习：USB体系结构介绍
砥砺前行，创业钟情“大数据硅谷”！
AIDA64确认其基于GA102、GA106核心打造
爱驰U5 ION自主研发MAS方案
门驱动的欠压保护功能及其注意事项
使用ADC精确测量电阻阻值
三星S8珊瑚蓝再现：延续三星S7传奇