关于TMR线性传感器TMR2905的产品特性介绍和应用
tmr2905采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度tmr传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。tmr2905性能优越，采用的封装形式： sop8（6mm x 5mm x 1.5mm）。
典型输出曲线
下图列出了tmr2905传感器输出随外加磁场强度变化（外加磁场±5 oe、±30 oe，工作电源1v）的典型曲线。
引脚定义及功能框图
(sop8 顶视图)
引脚号 符号 引脚描述
3 gnd 地
4 v- 模拟差分输出 2
5 v+ 模拟差分输出 1
6 vcc 电源
1、2、7、8 n/a 空脚
极限参数
参数 符号 限值 单位
工作电压 vcc 7 v
反向供电电压 vrcc 7 v
外加磁场 h 3000 oe(1)
esd 性能(hbm) vesd 4000 v
使用温度 ta -40 ~ 125 °c
存储温度 tstg -50 ~ 150 °c
性能参数(vcc=1.0v,ta=25°c,差分输出)
参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
工作电压 vcc 正常工作 1 7 v
工作电流 icc 输出开路 0.2(2) ma
电阻值 r 2 5 8 kohm
灵敏度 sen 在±5 oe范围拟合 45 60 mv/v/oe
饱和磁场 hsat ±10 oe
非线性度 nonl 在±5 oe范围拟合 2 %fs
失调电压 voffset -30 30 mv/v
磁滞 hys 在±5 oe范围拟合 2 oe
电阻值温度系数 tcr h =0 oe -500 ppm/°c
灵敏度温度系数 tcs -1100 ppm/°c
注：
（1）1oe (oersted) =1gaussinair=0.1 millitesla= 79.8a/m。
（2）icc= vcc/r, 不同产品的阻值不同，因此工作电流icc在1v供电时会有所不同,可根据要求定制。
（3）具体详情请咨询江苏多维科技有限公司。
封装尺寸
sop8封装图：
传感元件位置
sop8封装
单位：毫米
多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的，所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提 高产品质量，可靠性和功能以更改产品规格的权力。
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典型输出曲线
下图列出了tmr2905传感器输出随外加磁场强度变化（外加磁场±5 oe、±30 oe，工作电源1v）的典型曲线。
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非线性度 nonl 在±5 oe范围拟合 2 %fs
失调电压 voffset -30 30 mv/v
磁滞 hys 在±5 oe范围拟合 2 oe
电阻值温度系数 tcr h =0 oe -500 ppm/°c
灵敏度温度系数 tcs -1100 ppm/°c
注：
（1）1oe (oersted) =1gaussinair=0.1 millitesla= 79.8a/m。
（2）icc= vcc/r, 不同产品的阻值不同，因此工作电流icc在1v供电时会有所不同,可根据要求定制。
（3）具体详情请咨询江苏多维科技有限公司。
封装尺寸
sop8封装图：
传感元件位置
sop8封装
单位：毫米
多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的，所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提 高产品质量，可靠性和功能以更改产品规格的权力。
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