英飞凌推出950 V CoolMOS™ PFD7系列，内置集成的快速体二极管，可满足大功率照明系统和工业SMPS应用的需求
【2022年11月08日，德国慕尼黑讯】为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求，英飞凌科技股份公司（fse代码：ifx / otcqx代码：ifnny）推出了全新的coolmos™ pfd7高压mosfet系列，为950v 超结（sj）技术树立了新的行业标准。全新950v系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速体二极管，可确保器件的稳健性，同时降低了bom（材料清单）成本。该产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造，主要用于照明系统以及消费和工业领域的开关电源（smps）应用。
新产品系列适用于反激式、pfc和llc/lcc设计，包括使电源换向变得稳定而可靠的半桥或全桥配置。通过集成具有超低反向恢复电荷（qrr）的超快速体二极管，该系列产品实现了硬换向的稳健性和可靠性，并成为该电压级别中更稳健的超结 mosfet，可适用于目标应用中的所有拓扑结构。此外，开关损耗（eoss、qoss和qg）的大幅降低也提高了硬开关和软开关应用的使用效率，与900v coolmos c3 超结 mosfet相比，mosfet温度最高可降低4开尔文。相较以前，新产品更为绿色环保，其轻载和满载pfc效率提高了0.2%以上，同时可满足llc效率要求。
新产品系列降低了各种采用smd封装和thd封装的器件的导通电阻（rds(on)）值，最高可降低55%，例如dpak封装中器件的导通电阻值为450 mω或to247封装中器件的导通电阻值为60 mω。设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间，降低bom成本和生产成本。其柵极-源极阈值电压（v(gs),th）为3v，v(gs),th最低变化范围为±0.5v，可方便新器件的设计导入和驱动，提高了设计自由度；利用低阈值电压和容差可避免使用mosfet线性模式，降低了驱动电压和闲置损耗。另外，与coolmos c3相比，新产品系列的栅极电荷改善了60%，大大降低了驱动损耗，而且能够达到人体放电模型（hbm）（2级静电放电敏感度）标准，保证了静电放电（esd）的稳健性，进而减少了与esd有关的设备故障，提高了产量。
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