SK海力士将量产基于EUV工艺的DRAM
据韩媒etnews报道，在“tech week 2020 live”活动上，三星电子和sk海力士宣布了各自关于下一代半导体技术的发展战略。其中，三星电子计划量产业界首批采用3纳米环绕式栈极（gate-all-around，简称gaa）工艺制造的尖端芯片；sk海力士则正准备生产基于极紫外光刻 （euv）技术的dram。
三星电子表示，该公司计划通过ibm和英伟达的下一代cpu和gpu的订单，在全球代工市场上利用gaa技术开拓下一代产品市场。
三星代工的执行董事kang moon-soo称，“我们计划大规模生产行业第一批基于gaa技术的半导体”。
韩媒指出，截至目前，三星电子和台积电是业界仅有的开始开发gaa工艺的两家公司。
这也意味着，如果三星电子能够在量产时程上超越台积电，三星将能够抓住机遇，甚至在全球代工市场上领先台积电。
而sk海力士也将很快量产基于euv工艺的dram。sk海力士未来技术研究所负责人lim chang-moon表示，“我们计划从第4代10nm （1a） dram开始应用euv工艺。同时我们计划明年初开始大规模生产”。
数据显示，全球dram市场约94%的份额分别由三星、sk海力士和美光垄断，两家韩国公司约占74%的市场份额。
因而，若gaa和euv dram成功落地商业化，韩国半导体产业的地位将进一步提升。同时，报道指出，euv dram将能进一步扩大韩国半导体企业与中国半导体企业之间的差距。鉴于euv设备的昂贵成本以及有限的供应量，韩国企业将更有别于中国企业。
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而sk海力士也将很快量产基于euv工艺的dram。sk海力士未来技术研究所负责人lim chang-moon表示，“我们计划从第4代10nm （1a） dram开始应用euv工艺。同时我们计划明年初开始大规模生产”。
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