EUV遭受新挫折 半导体10nm工艺步履维艰
asml的量产型euv光刻机在tsmc现场初试时出现失误。
在2014年加州sanjose举行的先进光刻技术会议上tsmc演讲中透露此消息，由于euv光源内的激光机械部分出现异位导致光源破裂。因此euv光刻机停摆。tsmc的下一代光刻部经理jack chen证实仅是激光的机械部分故障。
asml/cymer计划迅速解决问题，按chen的看法，euv仍有希望。尽管euv光刻出现问题但是tsmc计划在10nm节点时能用上euv。
近期euv光刻机出现一系列的问题被曝光。有些专家认为在tsmc现场出现的光源故障对于euv的实用性，尤其是对于未来的量产型euv光刻机客户会产生疑惑，可能会延续一段时间。
目前对于euv光刻机的问题集中在光源，实际上尚有不少问题待解决，如euv的掩膜与光刻胶等。
光源问题
asml的第一代量产型euv光刻机nxe;3300b近期己运抵tsmc。而intel，samsung和其它客户都有望在今年也拿到设备。这类euv光刻机的数值孔径（na）0.33，4x放大及分辨率为22nm（half-pitch）。
运抵tsmc的nxe 3300b装上asml/cymer的30瓦euv光源。按tsmc说法，原试车计划在1月31日前举行，但是由于激光的机械部分出现故障，导致设备停摆。直到2月24日设备仍不能开动。
此类光源由cymer公司研发，近期它己被asml兼并。asml/cymer曾经承诺在2012年底时提供100瓦光源。但是至今cymer在实验室里能提供40-50瓦光源。
chen说，可能是euv光源的内部件出现故障，即集光镜。此类euv光源是基于激光型plasma（lpp）技术。在lpp中由激光脉冲产生的等离子体射中靶子。光源也利用一种pre-pulse laser和一种主振功率放大器（mopa）来邦助提高光源的功率。
当一个55瓦光源可使euv光刻机的硅片通过量达到每小时43片，显然从产业角度至少需要80瓦光源，而且能稳定连续的工作。因为当光源功率在80瓦时可以每小时58片。asml的计划在2015年时光源功率能达到250瓦，可实现每小时126片。
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