5G时代,第三代半导体将大有可为
第三代半导体，又称宽禁带半导体，是以碳化硅（sic）、氮化镓（gan）为代表的半导体材料，具备高压、高温、高频大功率等特性。目前已广泛应用在无线基础设施（基站）、卫星通信、轨道交通、新能源汽车、消费电子等领域。
先说说碳化硅，sic器件以其固有的高频、大功率、高温和抗恶劣环境应用潜力，在许多领域可以取代si，打破硅基材料本身性能造成的许多局限性，在航空航天、新能源汽车、轨道交通、高压输变电、分布式能源等领域有着十分广泛的应用，也是各国争相抢占的产业高地。
再说说氮化镓，刚才也提到，5g的基站需要在原有4g基础上进一步大规模建设，其主要原因是5g的频谱高，基站的覆盖面就相应变小，相对于4g，5g的建设需要更多的小基站才能消除盲区。频谱是5g的血液，要提高频谱利用率，主要的技术方式是增加基站和天线的数量，对应5g中的关键技术应为大规模天线阵列(massivemimo)和超密集组网(udn)。
5g时代，射频器件的重要程度大大超过4g时代。而gan有一个重要的原生优势——高效率。高效率对5g可谓一个决定性的优势。对于整个mimo基站，其里面有64个通道，每个通道的效率哪怕有些许的提高，对基站本身的散热都会有很大的改善，功率也随之提高，整个覆盖范围就变大。
目前gan技术已成为高频、大功耗应用技术的首选，不论在频宽、性能、容量、成本间均可做出最佳成效。
yole数据显示，截止到2018年底，rf gan的市场规模接近4.85亿美元。虽然目前全球只有少数厂商展示了商业化的gan技术，但事实上已经有许多公司投入研发gan技术。而5g通信的快速崛起，成为gan技术发展的重要契机。预计到2023年，全球ganrf器件市场规模将达到13亿美元。
图: 2019-2023年全球gan rf器件市场规模预测
结 语
中国必定成为5g的领头羊。正如华为，目前已经在5g领域颇具造诣，从5g订单和基站数量看来，华为5g也正逐渐被业界认可。在中美贸易摩擦不断升级的局势下，提高半导体产品国产化率的呼声日益强烈。中国开展sic、gan材料和器件方面的研究工作比较晚，在微波射频和电力电子领域与国外相比水平较低。近年来，中国也在积极推进第三代半导体相关产业的步伐，全国已形成了京津冀、长三角、珠三角、闽三角以及中西部等三代半产业聚集区。相信5g将带来半导体材料革命性的变化，我国的第三代半导体产业也将迎来迅猛发展。
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结 语
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