欠饱和检测电路图
本电路是由ir2127组成的欠饱和检测电路原理图。
图所示的电流检测电路是所谓的欠饱和检测电路。它起初用于igbt，用来检测由于过流而过饱和的 igbt 的电压。这就是说，它也可以用于mosfet。对于 mosfet，原理相似，因为过载时 fet 上的电压将会显著增加。
图欠饱和检测电路图
计算电阻值用下面的方法。
rg 是门极电阻，选择适当阻值以优化开关速度和开关损耗。
r1 典型值为 20k；高的阻值有助于最大限度地减小由于二极管 d1 而增加的弥勒电容，确保没有显著电流从 ho 流出。注意二极管 d1 应具有和自举二极管一样的特性。
当 ho 输出为高时，mosfet（也可以是 igbt）q1 开通。则图 6 中的 x点被拉低至一个电压，此电压等于 fet 上的压降 vds 加上二极管 d1 压降。所以，当 fet q1 上的压降达到你所设定的指示过载故障的限值时，我们将关掉驱动器输出。
所以 q1 上 vds 电压为 10v。一个的超快恢复二极管的典型电压值为1.2v。
vx=vd1+vds
vx=1.2+10
vx=11.2v
ir2127 cs 端开启电压为 250mv，所以我们需要对 vx 分压，使 vx=11.2v 时，vy=250mv。
vy=vx * r3/(r2+r3) 设 r2=20k r3=457
pcb布板注意事项
以下是在应用电流传感驱动器时布板需要注意的几点。
1）尽可能缩短输出到门极的连线（小于 1 inch 比较合适）。
2）使电流检测电路尽可能靠近 ic 以使由电路耦合噪声引起误触发的可能性降到最低。
3）所有大电流连线尽可能加宽以减小电感。
4）更进一步的布线提示可以参考设计提示 97-3“由控制 ic 驱动的功率电路中的瞬态问题的处理”
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