场效应管（FET）,场效应管（FET）是什么意思
场效应管（fet）,场效应管（fet）是什么意思
场效应管和双极晶体管不同，仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以分为：
．接合型场效应管
．mos型场效应管
★接合型场效应管（结型fet）
原 理
n通道接合型场效应管如图所示，以p型半导体的栅极从两侧夹住n型半导体的结构。将pn接合面上外加反向电压时所产生的空乏区域用于电流控制。
n型结晶区域的两端加上直流电压时，电子从源极流向漏极。电子所通过的通道宽度由从两侧面扩散的p型区域以及加在该区域上的负电压所决定。
加强负的栅极电压时，pn接合部分的空乏区域扩展到通道中，而缩小通道宽度。因此，以栅极电极的电压可以控制源极-漏极之间的电流。
用 途
即使栅极电压为零，也有电流流通，因此用于恒定电流源或因低噪音而用于音频放大器等。
结型fet的图形记号
结型fet的动作原理（n通道）
★mos型场效应管
原 理
即使是夹住氧化膜（o）的金属（m）与半导体（s）的结构（mos结构），如果在（m）与半导体（s）之间外加电压的话，也可以产生空乏层。再加上较高的电压时，氧华膜下能积蓄电子或空穴，形成反转层。将其作为开关利用的即为mosfet。
在动作原理图上，如果栅极电压为零，则pn接合面将断开电流，使得电流在源极、漏极之间不流通。如果在栅极旧外加正电压的话，则p型半导体的空穴将从栅极下的氧化膜-p型半导体的表面被驱逐，而形成空乏层。而且，如果再提高栅极电压的话，电子将被吸引表表面，而形成较薄的n型反转层，由此源杖（n型）和漏极（n型）之间连接，使得电流流通。
用 途
因其结构简单、速度快，且栅极驱动简单、具有耐破坏力强等特征，而且使用微细加工技术的话，即可直接提高性能，因此被广泛使用于由lsi的基础器件等高频器件到功率器件（电力控制器件）等的领域中。
mos fet的图形记号
mos fet的动作原理（n通道）
常用场效用管
1、mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor
field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最
高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、
耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。
耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电
位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电
流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的
开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
国产n沟道mosfet的典型产品有3do1、3do2、3do4（以上均为单栅管），4do1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形
成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引
线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
mos场效应管的检测方法
（1）．准备工作 测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
将万用表拨于r×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千
欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。
（3）．检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸
g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。 目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
mos场效应晶体管使用注意事项。
mos场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。mos场效应晶体管由于输入阻抗高（包括mos集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
mos器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
取出的mos器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
焊接用的电烙铁必须良好接地。
在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再mos器件焊接完成后在分开。
mos器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
mos场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
2、vmos场效应管
vmos场效应管（vmosfet）简称vmos管或功率场效应管，其全称为v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新发展起来的高效、功率开关器
件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高（≥108w）、驱动电流小（左右0.1μa左右），还具有耐压高（最高可耐压1200v）、工作电流大
（1.5a～100a）、输出功率高（1～250w）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压
放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的mos场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。vmos管则不同，从左下图上可以
看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用v型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂n+
区（源极s）出发，经过p沟道流入轻掺杂n-漂移区，最后垂直向下到达漏极d。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅
极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型mos场效应管。
国内生产vmos场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有vn401、vn672、vmpt2等。
vmos场效应管的检测方法
（1）．判定栅极g 将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）．判定源极s、漏极d 由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。
（3）．测量漏-源通态电阻rds（on）将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds
（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。
（4）．检查跨导 将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。
有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
目前市场上还有一种vmos管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块，内部有n沟道、p沟道管各三只，构成三相桥式结构。
现在市售vnf系列（n沟道）产品，是美国supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120mhz，idsm=1a，pdm=30w，共源小信号低频跨导gm=2000μs。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
使用vmos管时必须加合适的散热器后。以vnf306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30w
8、场效应管与晶体管的比较
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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场效应管和双极晶体管不同，仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以分为：
．接合型场效应管
．mos型场效应管
★接合型场效应管（结型fet）
原 理
n通道接合型场效应管如图所示，以p型半导体的栅极从两侧夹住n型半导体的结构。将pn接合面上外加反向电压时所产生的空乏区域用于电流控制。
n型结晶区域的两端加上直流电压时，电子从源极流向漏极。电子所通过的通道宽度由从两侧面扩散的p型区域以及加在该区域上的负电压所决定。
加强负的栅极电压时，pn接合部分的空乏区域扩展到通道中，而缩小通道宽度。因此，以栅极电极的电压可以控制源极-漏极之间的电流。
用 途
即使栅极电压为零，也有电流流通，因此用于恒定电流源或因低噪音而用于音频放大器等。
结型fet的图形记号
结型fet的动作原理（n通道）
★mos型场效应管
原 理
即使是夹住氧化膜（o）的金属（m）与半导体（s）的结构（mos结构），如果在（m）与半导体（s）之间外加电压的话，也可以产生空乏层。再加上较高的电压时，氧华膜下能积蓄电子或空穴，形成反转层。将其作为开关利用的即为mosfet。
在动作原理图上，如果栅极电压为零，则pn接合面将断开电流，使得电流在源极、漏极之间不流通。如果在栅极旧外加正电压的话，则p型半导体的空穴将从栅极下的氧化膜-p型半导体的表面被驱逐，而形成空乏层。而且，如果再提高栅极电压的话，电子将被吸引表表面，而形成较薄的n型反转层，由此源杖（n型）和漏极（n型）之间连接，使得电流流通。
用 途
因其结构简单、速度快，且栅极驱动简单、具有耐破坏力强等特征，而且使用微细加工技术的话，即可直接提高性能，因此被广泛使用于由lsi的基础器件等高频器件到功率器件（电力控制器件）等的领域中。
mos fet的图形记号
mos fet的动作原理（n通道）
常用场效用管
1、mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor
field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最
高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、
耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。
耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电
位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电
流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的
开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
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线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
mos场效应管的检测方法
（1）．准备工作 测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
将万用表拨于r×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千
欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。
（3）．检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸
g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。 目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
mos场效应晶体管使用注意事项。
mos场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。mos场效应晶体管由于输入阻抗高（包括mos集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
mos器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
取出的mos器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
焊接用的电烙铁必须良好接地。
在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再mos器件焊接完成后在分开。
mos器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
mos场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
2、vmos场效应管
vmos场效应管（vmosfet）简称vmos管或功率场效应管，其全称为v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新发展起来的高效、功率开关器
件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高（≥108w）、驱动电流小（左右0.1μa左右），还具有耐压高（最高可耐压1200v）、工作电流大
（1.5a～100a）、输出功率高（1～250w）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压
放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的mos场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。vmos管则不同，从左下图上可以
看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用v型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂n+
区（源极s）出发，经过p沟道流入轻掺杂n-漂移区，最后垂直向下到达漏极d。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅
极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型mos场效应管。
国内生产vmos场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有vn401、vn672、vmpt2等。
vmos场效应管的检测方法
（1）．判定栅极g 将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）．判定源极s、漏极d 由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。
（3）．测量漏-源通态电阻rds（on）将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds
（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。
（4）．检查跨导 将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。
有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
目前市场上还有一种vmos管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块，内部有n沟道、p沟道管各三只，构成三相桥式结构。
现在市售vnf系列（n沟道）产品，是美国supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120mhz，idsm=1a，pdm=30w，共源小信号低频跨导gm=2000μs。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
使用vmos管时必须加合适的散热器后。以vnf306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30w
8、场效应管与晶体管的比较
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
科陆电子转让上海卡耐股权将进一步发展新能源储能和智能电网业务
为什么说中国必须建设本土存储产业
GPIO 四种编码模式的对应脚位如何查找
数字重庆公司推出一体化联动共治的网格化智能化基层治理体系
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场效应管（FET）,场效应管（FET）是什么意思
欠饱和检测电路图
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中国是博世海外最大的市场,博世中国做对了什么？
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封装技术简介
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