台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺获突破：直奔1nm
在isscc 2021国际固态电路会议上，台积电联席ceo刘德音公布了该公司的最新工艺进展情况，指出3nm工艺超过预期，进度将会提前。
不过刘德音没有公布3nm工艺到底如何超前的，按照他们公布的信息，3nm工艺是今年下半年试产，2022年正式量产。
与三星在3nm节点激进选择gaa环绕栅极晶体管工艺不同，台积电的第一代3nm工艺比较保守，依然使用finfet晶体管。
与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不论是5nm还是3nm工艺，甚至未来的2nm工艺，台积电表示euv光刻机的重要性越来越高，但是产能依然是euv光刻的难题，而且能耗也很高。
刘德音提到，台积电已经euv光源技术获得突破，功率可达350w，不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺。
按照台积电提出的路线图，他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律，2年升级一代新工艺，而10年则会有一次大的技术升级。
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