提高调制速度的腔内金属孔径的VCSEL介绍
日本东京工业大学展示一种提高调制速度的腔内金属孔径的vcsel，具有大的孔径有利于光耦合和提高可靠性，能够实现超过5km的smf传输，工作在1050nm，光纤色散更低。
图1
图1中左图为概念图，底部发射金属孔径的vcsel示意图是中间的图，使用标准的3英寸晶圆，10对sio2/ta2o5 dbr提供99.96%的顶层的反射率，底部dbr提供99.25%的反射率。6um的孔径通过湿氧化工艺实现，孔径和金属接触小于1um，能够实现横向共振。底部基板是透明的，能够和mcf实现高效率耦合，且不用使用透镜。
最右面的图为16通道的vcsel阵列照片，芯片尺寸为0.16mm2，相邻通道间距离为40um，每个区域数据速率密度为2，5tbps/mm2
图2
图2(a)中是16个vcsel阵列的iv曲线，阈值电流为0.6ma, 6ma时工作电压为2.2v，smsr大于40db，nfp为5um。
本工作在超过5km的传输时，3db带宽超过25ghz，具有50gbps(nrz)和100gbps pam4的传输能力，实际pam4观察了70gbps的眼图，带宽和距离乘积超过250tbps.km，是850nm vcsel/mmf链路的25倍
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图1
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图2
图2(a)中是16个vcsel阵列的iv曲线，阈值电流为0.6ma, 6ma时工作电压为2.2v，smsr大于40db，nfp为5um。
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