针对 BMS 的脉冲群(EFTB)测试方案
这次把 eft/b 的内容写完，介绍一下其针对 bms 的测试方案。低压端测试前文也说过，在 gb/t 38661-2020 里面是有提过 eft/b 测试，但是这里其实写的不清楚，没有写具体的测试用例。
那么参照 gb/t 17626.4 与实际的试验情况，低压端测试主要分为供电端口与信号端口。供电端口即 12v 端口，包括电源与 gnd；电源端口又包含继电器供电与单板供电两种，两个是一起做的；试验的布局结构如下图，脉冲群发生器通过耦合网络将信号注入到 12v 与 gnd 上；铅酸电池正负极接到去耦网络的输入端，同时铅酸电池的负极连至接地参考平面。
标准中具体的试验布置如下图，所以 gnd 与接地参考平面之间隔了一个去耦网络，不是直接相连的，所有的信号脉冲都是相对于接地参考平面的共模干扰。
信号端口电源端口是直接耦合，但对于其他的信号或控制端口，标准中建议使用容性耦合夹的方式间接注入干扰波形；试验的布局结构如下图，信号或控制线束要放置在容性耦合夹的中央，此处就不使用耦合 / 去耦网络了；电源线要单独放置，并且铅酸电池的负极连接至接地参考平面。
标准中具体的试验布置如下图，这个同样是相对于接地参考平面的共模干扰。
高压端测试上面是低压端的测试方法，这个在标准中定义得还是比较清晰的；但 bms 上还存在隔离的高压供电线与信号线，具有代表性的就是采集器上的 afe 电路；但针对高压线来讲，目前还没有标准清晰地定义出实验方法，所以我们这里就假设几种可能的测试方法。
方法 1、参考接地平面为低压地，高压输入端接电池模组具体参见下图，脉冲群发生器的参考接地平面与 bms 低压 gnd 是接到一起的，那么所有注入到 hv 线上面的干扰信号是参考低压 gnd 的共模干扰，因为高低压隔离的原因，此时落到 dut 的能量比较弱。
方法 2、参考接地平面为电池模组负极，高压输入端接电池模组具体参见下图，这种方法把高压地当做了参考接地平面，所以脉冲发生器注入到高压线的干扰信号是相对于 hv- 的共模信号；此时落到 dut 的能量比方法一要强。
方法 3、参考接地平面为电池模组负极，电池模组放置在耦合 / 去耦网络前端具体参见下图，接地参考平面是电池模组负极，但是电池模组与 dut 之间放置了耦合 / 去耦网络，此时施加在 dut 的能量是最强的，因为去耦网络的存在，导致电池模组不能吸收一部分能量。
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方法 2、参考接地平面为电池模组负极，高压输入端接电池模组具体参见下图，这种方法把高压地当做了参考接地平面，所以脉冲发生器注入到高压线的干扰信号是相对于 hv- 的共模信号；此时落到 dut 的能量比方法一要强。
方法 3、参考接地平面为电池模组负极，电池模组放置在耦合 / 去耦网络前端具体参见下图，接地参考平面是电池模组负极，但是电池模组与 dut 之间放置了耦合 / 去耦网络，此时施加在 dut 的能量是最强的，因为去耦网络的存在，导致电池模组不能吸收一部分能量。
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