罗姆推出两个新系列的低导通电阻 100V 双通道场效应管
罗姆半导体推出了双 mosfet，该器件在单个封装中集成了两个 100v 芯片，使其适用于驱动通信基站和工业设备中的风扇电机。这五款新型号已添加到hp8kex/ht8kex(nch+nch)和hp8mex(nch+pch)系列中。
近年来，通信基站和工业设备已从传统的12v/24v系统转向48v系统，以通过降低电流值来提高效率。在这些情况下，开关mosfet需要具有100v的耐压以应对电压波动，因为风扇电机中也使用48v电源进行冷却。
然而，增加击穿电压会增加导通电阻(rds(on))，导致效率降低，并且难以同时实现低rds(on)和高击穿电压。此外，在一个封装中集成两个芯片的双通道mosfet越来越多地用于节省风扇电机的空间，而不是通常使用的大量单个驱动mosfet。
作为回应，rohm 创建了两个新系列 – hp8kex/ht8kex (nch+nch) 和 hp8mex (nch+pch) – 它们利用最新的制造技术结合了 ncher 和 pch mosfet 芯片。通过采用具有出色散热特性的新型背面散热封装，两个系列都实现了业界最低的rds(on)。
因此，与传统的双通道mosfet相比，rds(on)降低了56%之多(hsop8为19.6 mω，hsmt8 nch+nch为57.0 mω)，从而显著降低了功耗。同时，将两个芯片组合在一个封装中，通过显著减少面积来节省更大的空间。例如，用一个 hsop8 替换两个 to-252 单芯片 mosfet 可将占位面积减少 77%。
接下来，rohm 将继续开发双通道 mosfet 的低噪声变体，以承受工业设备的最佳电压。预计这将通过节省空间和降低各种应用中的能源消耗，为解决环境保护等社会问题做出贡献。
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因此，与传统的双通道mosfet相比，rds(on)降低了56%之多(hsop8为19.6 mω，hsmt8 nch+nch为57.0 mω)，从而显著降低了功耗。同时，将两个芯片组合在一个封装中，通过显著减少面积来节省更大的空间。例如，用一个 hsop8 替换两个 to-252 单芯片 mosfet 可将占位面积减少 77%。
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