倍流整流的低压大电流DC-DC变换器
倍流整流低压大电流dc-dc变换器的电路原理图如图1所示，一次侧采用对称半桥结构，二次侧采用倍流整流结构，在s1导通时sr1必须截止，l1充电;在s2导通时sr2必须截止，l2充电，这样滤波电感电流就会在滤波电容上移项叠加。图2给出了开关控制策略。
图1倍流整流的低压大电流dc-dc变换器的电路原理图
图2开关的控制策略
通过以上分析可以看出，倍流整流结构的二次侧2个滤波电感电流在滤波电容上相互叠加，从而使得输出电流纹波变得相当小。
结构中的同步整流器均按外加信号驱动处理，使控制变得很复杂，但在这种半桥-倍流拓扑结构中使用简单的自驱动方式很困难，因为，在这种结构中，如果直接从电路中取合适的点作为同步整流器的驱动信号，在死区时间内当这个驱动信号为零时，同步整流器就会截止。为了在半桥-倍流拓扑结构中使用自驱动方式，就必须使用到辅助绕组。
以单个半桥-倍流拓扑结构为例，见图3,vsec为变压器的二次侧电压，vgs为由辅助绕组获得的同步整流器的驱动电压，可以看出即使在死区的时间内，同步整流器的驱动电压也不可能为零，保证了自驱动方式在这种拓扑结构中的应用。
图3自驱动同步整流器电路及波形图
另外，由于在大电流的情况下mosfet导通压降将增大，从而产生较大的导通损耗，为此应采用多个mosfet并联方法来减小损耗。
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以单个半桥-倍流拓扑结构为例，见图3,vsec为变压器的二次侧电压，vgs为由辅助绕组获得的同步整流器的驱动电压，可以看出即使在死区的时间内，同步整流器的驱动电压也不可能为零，保证了自驱动方式在这种拓扑结构中的应用。
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