ESL对于电容选择有何影响 ESR是不是越小越好呢
对于电容，从理想的角度来讲，应该是电容的容值越大，容抗越低，对交流的滤波效果越好，然而实际上一般容值越大的电容，寄生电感也越大，其实际的阻抗值为：电容的特性阻抗曲线如下图所示：
在自谐振点前，电容呈现电容的特性，在自谐振点之后，呈现电感的特性，并且随着感抗值和频率的增加，对于高频信号的退耦和旁路作用也随之减弱。因此对于电容的选择，不仅仅要考虑其容值，还有需要考虑esr和esl等方面。
esl对于电容选择是非常大的一个影响因素，esl越大，谐振点右边的阻抗越高；同时，谐振点也会随着esl的增大，往左边偏移，导致低阻抗的区域变小，需要更多的电容并联才能有相同的效果。所以对于选取电容而言，esl越小越好。
那么esr是不是也是越小越好呢？一般我们认为比较大的esr会增加板子的功耗，会影响电容滤波旁路的效果，在pdn设计时，esr更是让我们苦恼。然而，有些情况是需要esr比较高的，例如ldo电路，esr产生的电压波动能及时反馈负载的电流波动，以便ldo电源及时调整，因此需要esr比较大。还有esr越小，q值越大，在一些需要小q值电容的场合，esr也不是越小越好的。
下面再来看看不同作用的电容选值时有什么侧重点。
旁路电容，主要是减弱来自高频分量或者电源线的射频能量，因此要考虑到射频分量所在频率的低阻抗通道，以增加其削弱效果，还要考虑寄生电感对其自谐振频率的影响，此时，就要考虑电容结构的问题了，一般的馈通和插装电容都有比较长的引脚，寄生电感比较大，对于高频的滤波效果不佳，因此贴片电容一般是旁路电容的最佳选择。
去耦电容，容值的选择一般按照 的公式来计算，c是电容值，i是瞬变电流，∆t是开关时间，∆v是允许的压降。实际上去耦电容应用时一般都是两个电容并联退耦的方法，一般电容之间有两个数量值的差别（例如0.1uf和10uf），这样可以在一个比较宽的频率范围内都有一个比较好的电容特性。另外小的esr也是退耦电容选择的重点。
储能电容，需要确保能够足够稳定的电压和电流，所以一般需要选择容值比较大的电容，一般都是在uf级别，同时需要防止电压波动损坏电容器，所以储能电容的选择一般还要考虑其额定电压，一般为工作电压的两倍以上。
电容的选择需要考虑到各个方面，介质材料，可靠性等都会对电容的选择有一定的影响。下图是关于电容器种类性能介绍的一个总结。
电容的选择对于emc的影响是比较大，正确的选择可以有效的减小板上的emi干扰，但是错误的选择反而会使情况恶化。】
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储能电容，需要确保能够足够稳定的电压和电流，所以一般需要选择容值比较大的电容，一般都是在uf级别，同时需要防止电压波动损坏电容器，所以储能电容的选择一般还要考虑其额定电压，一般为工作电压的两倍以上。
电容的选择需要考虑到各个方面，介质材料，可靠性等都会对电容的选择有一定的影响。下图是关于电容器种类性能介绍的一个总结。
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