荣湃半桥驱动芯片具备哪些出色性能表现
荣湃pai8131/pai8171有别于传统半桥驱动芯片，采用了电平转换器level shifter，实现输入侧到半桥高侧驱动的控制信号传输。
荣湃半桥驱动芯片具备哪些出色性能表现？本期「技术课堂」荣湃资深技术将作详细解析
荣湃半桥驱动芯片pai8131/pai8171是基于荣湃idivider隔离技术实现的高侧700v耐压的半桥驱动芯片。因为采用隔离技术实现信号传输，高侧承受电压由隔离栅设计决定，可以轻松实现非常高的耐压。
以pai8131/pai8171为例，虽然由于爬电距离标称高侧耐压为700v，但实测高侧承受电压在2000v以上。
得益于隔离技术重要参数指标之一，cmti共模瞬态抗扰度，pai8131/pai8171 vs引脚瞬变电压抗扰度高达100v/ns，非常适合高频、高压、高可靠性的各类桥臂驱动应用场景。
vs引脚产生震荡和负压的原因是当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从gnd通过下管mos的体二极管进行续流。在真实电路pcb布线中，该电流路径上会存在寄生电感，续流电流通过路径中的寄生电感，会在vs上产生负压。
电压大小与寄生电感、电流的变化速率成正比。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 越大；同时电路中寄生电感越大，则vs引脚产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动芯片。
此外，开关频率越大，开通速度越快，vs引脚产生的dv/dt，即电压变化速率越大。如果选择的半桥驱动芯片vs引脚dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动芯片内部逻辑错误，可能会使得驱动器的高侧和低侧同时输出高电平。上下管同时打开，造成短路，烧坏上下桥功率管。
荣湃将隔离技术方案应用于pai8131/pai8171半桥驱动芯片中，很好地解决了上述问题。内置了典型值520ns的死区时间，dv/dt抗干扰能力超过100v/ns，vs引脚能承受700v直流高压，非常适合高频、高压、高可靠性的各类桥臂驱动应用场景。
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