有哪些电子元器件封装？
bga是英文ball grid array package的缩写，即球栅阵列封装。随着技术的进步，芯片集成度不断提高，i/o引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，bga封装开始被应用于生产。
采用bga技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，bga与tsop相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。bga封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用bga封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有tsop封装的三分之一；另外，与传统tsop封装方式相比，bga封装方式有更加快速和有效的散热途径。
bga封装的i/o端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，bga技术的优点是i/o引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但bga能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚bga仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚qfp为40mm见方。而且bga不用担心qfp那样的引脚变形问题。该封装是美国motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，bga的引脚（凸点）中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些lsi厂家正在开发500引脚的bga。bga的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国motorola公司把用模压树脂密封的封装称为ompac，而把灌封方法密封的封装称为gpac（见ompac和gpac）。
2、bqfp（quadflatpackagewithbumper）带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。qfp封装之一，在封装本体的四个角设置突起（缓冲垫）以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和asic等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右（见qfp）。
3、碰焊pga（buttjointpingridarray）表面贴装型pga的别称（见表面贴装型pga）。
4、c－（ceramic）表示陶瓷封装的记号。例如，cdip表示的是陶瓷dip。是在实际中经常使用的记号。
5、cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于eclram，dsp（数字信号处理器）等电路。带有玻璃窗口的cerdip用于紫外线擦除型eprom以及内部带有eprom的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为dip－g（g即玻璃密封的意思）。
6、cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷qfp，用于封装dsp等的逻辑lsi电路。带有窗口的cerquad用于封装eprom电路。散热性比塑料qfp好，在自然空冷条件下可容许1.5～2w的功率。但封装成本比塑料qfp高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
7、clcc（ceramicleadedchipcarrier）带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型eprom以及带有eprom的微机电路等。此封装也称为qfj、qfj－g（见qfj）
8、cob（chiponboard板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然cob是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如tab和倒片焊技术
9、dfp（dualflatpackage）双侧引脚扁平封装。是sop的别称（见sop）。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、dic（dualin-lineceramicpackage）陶瓷dip（含玻璃密封）的别称（见dip）。
11、dil（dualin-line）dip的别称（见dip）。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、dip封装，是dual inline-pin package的缩写，也叫双列直插式封装技术，双入线封装，dram的一种元件封装形式。指采用双列直插形式封装 的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。 dip封装的cpu芯片有两排引脚，需要插入到具有dip结构的芯片插座上。当然，也可 dip封装
以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。dip封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。dip封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式dip，单层陶瓷双列直插式dip，引线框架式dip（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。
13、dso（dualsmallout-lint）双侧引脚小外形封装。sop的别称（见sop）。部分半导体厂家采用此名称。
14、dicp（dualtapecarrierpackage）双侧引脚带载封装。tcp（带载封装）之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是tab（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动lsi，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器lsi簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照eiaj（日本电子机械工业）会标准规定，将dicp命名为dtp。
15、dip（dualtapecarrierpackage）同上。日本电子机械工业会标准对dtcp的命名（见dtcp）。
16、fp（flatpackage）扁平封装。表面贴装型封装之一。qfp或sop（见qfp和sop）的别称。部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在lsi芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与lsi芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固lsi芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、fqfp（finepitchquadflatpackage）小引脚中心距qfp。通常指引脚中心距小于0.65mm的qfp（见qfp）。部分导导体厂家采用此名称。
19、cpac（globetoppadarraycarrier）美国motorola公司对bga的别称（见bga）。
20、cqfp（quadfiatpackagewithguardring）带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料qfp之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把lsi组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状（l形状）。这种封装在美国motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
21、h-（withheatsink）表示带散热器的标记。例如，hsop表示带散热器的sop。
22、pga： （pin-grid array，引脚网格阵列）一种芯片封装形式，缺点是耗电量大。
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷pga，用于高速大规模逻辑 lsi 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。
为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料pga。
另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型pga（碰焊pga）。23、jlcc（j-leadedchipcarrier）j形引脚芯片载体。指带窗口clcc和带窗口的陶瓷qfj的别称（见clcc和qfj）。部分半导体厂家采用的名称。
24、lcc（leadlesschipcarrier）无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频ic用封装，也称为陶瓷qfn或qfn－c（见qfn）。
25、lga（landgridarray）触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点（1.27mm中心距）和447触点（2.54mm中心距）的陶瓷lga，应用于高速逻辑lsi电路。lga与qfp相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速lsi是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
26、loc（leadonchip）芯片上引线封装。lsi封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
27、lqfp（lowprofilequadflatpackage）薄型qfp。指封装本体厚度为1.4mm的qfp，是日本电子机械工业会根据制定的新qfp外形规格所用的名称。
28、l－quad陶瓷qfp之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑lsi开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许w3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的lsi逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。
29、多芯片模块。多芯片组件。在这种技术中，ic模片不是安装在单独的塑料或陶瓷封装（外壳）里，而是把高速子系统（如处理器和它得高速缓存）的ic模片直接绑定到基座上，这种基座包含多个层所所需的连接。mcm是密封的，并且有自己的用于连接电源和接地的外部引脚，以及所处系统所需要的那些信号线。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。cm是在混合集成电路技术基础上发展起来的一项微电子技术，其与混合集成电路产品并没有本质的区别，只不过mcm具有更高的性能、更多的功能和更小的体积，可以说mcm属于高级混合集成电路产品。
mcm－l 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
mcm－c 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使
用多层陶瓷基板的厚膜混合ic 类似。两者无明显差别。布线密度高于mcm－l。
mcm－d 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或si、al 作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
怎样利用AVR单片机来测试蓄电池的剩余电量？
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台积电张忠谋称2014年6月让出CEO之位
关于夜狼安防报警服务行业解决方案的分析和介绍
关于温度测量的那些事儿
Littelfuse宣布推出新型ESD抑制器系列
5G将实现万物互联，高通正在不断的引领5G发展
从0到1的突破，海伯森以智能传感技术助力国产高端制造
什么是DC？关于DC常见问题汇总
LG G5拆解，看看这款手机的内部做工如何
手机的4×4MIMO天线是什么？路由器的天线越多信号越强吗？
LG Display P-OLED核心技术是什么
华为与中国信通院等单位发布白皮书倡导工业网络IP化
麦肯锡解读ADAS浪潮下的三大发展趋势
2018年人工智能趋势：中国AI企业融资额超美国
巴新国家电网一期项目开工仪式：巴新国家电网输变电工程顺利启动
采用bga技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，bga与tsop相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。bga封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用bga封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有tsop封装的三分之一；另外，与传统tsop封装方式相比，bga封装方式有更加快速和有效的散热途径。
bga封装的i/o端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，bga技术的优点是i/o引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但bga能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚bga仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚qfp为40mm见方。而且bga不用担心qfp那样的引脚变形问题。该封装是美国motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，bga的引脚（凸点）中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些lsi厂家正在开发500引脚的bga。bga的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国motorola公司把用模压树脂密封的封装称为ompac，而把灌封方法密封的封装称为gpac（见ompac和gpac）。
2、bqfp（quadflatpackagewithbumper）带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。qfp封装之一，在封装本体的四个角设置突起（缓冲垫）以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和asic等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右（见qfp）。
3、碰焊pga（buttjointpingridarray）表面贴装型pga的别称（见表面贴装型pga）。
4、c－（ceramic）表示陶瓷封装的记号。例如，cdip表示的是陶瓷dip。是在实际中经常使用的记号。
5、cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于eclram，dsp（数字信号处理器）等电路。带有玻璃窗口的cerdip用于紫外线擦除型eprom以及内部带有eprom的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为dip－g（g即玻璃密封的意思）。
6、cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷qfp，用于封装dsp等的逻辑lsi电路。带有窗口的cerquad用于封装eprom电路。散热性比塑料qfp好，在自然空冷条件下可容许1.5～2w的功率。但封装成本比塑料qfp高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
7、clcc（ceramicleadedchipcarrier）带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型eprom以及带有eprom的微机电路等。此封装也称为qfj、qfj－g（见qfj）
8、cob（chiponboard板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然cob是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如tab和倒片焊技术
9、dfp（dualflatpackage）双侧引脚扁平封装。是sop的别称（见sop）。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、dic（dualin-lineceramicpackage）陶瓷dip（含玻璃密封）的别称（见dip）。
11、dil（dualin-line）dip的别称（见dip）。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、dip封装，是dual inline-pin package的缩写，也叫双列直插式封装技术，双入线封装，dram的一种元件封装形式。指采用双列直插形式封装 的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。 dip封装的cpu芯片有两排引脚，需要插入到具有dip结构的芯片插座上。当然，也可 dip封装
以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。dip封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。dip封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式dip，单层陶瓷双列直插式dip，引线框架式dip（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。
13、dso（dualsmallout-lint）双侧引脚小外形封装。sop的别称（见sop）。部分半导体厂家采用此名称。
14、dicp（dualtapecarrierpackage）双侧引脚带载封装。tcp（带载封装）之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是tab（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动lsi，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器lsi簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照eiaj（日本电子机械工业）会标准规定，将dicp命名为dtp。
15、dip（dualtapecarrierpackage）同上。日本电子机械工业会标准对dtcp的命名（见dtcp）。
16、fp（flatpackage）扁平封装。表面贴装型封装之一。qfp或sop（见qfp和sop）的别称。部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在lsi芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与lsi芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固lsi芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、fqfp（finepitchquadflatpackage）小引脚中心距qfp。通常指引脚中心距小于0.65mm的qfp（见qfp）。部分导导体厂家采用此名称。
19、cpac（globetoppadarraycarrier）美国motorola公司对bga的别称（见bga）。
20、cqfp（quadfiatpackagewithguardring）带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料qfp之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把lsi组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状（l形状）。这种封装在美国motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
21、h-（withheatsink）表示带散热器的标记。例如，hsop表示带散热器的sop。
22、pga： （pin-grid array，引脚网格阵列）一种芯片封装形式，缺点是耗电量大。
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷pga，用于高速大规模逻辑 lsi 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。
为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料pga。
另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型pga（碰焊pga）。23、jlcc（j-leadedchipcarrier）j形引脚芯片载体。指带窗口clcc和带窗口的陶瓷qfj的别称（见clcc和qfj）。部分半导体厂家采用的名称。
24、lcc（leadlesschipcarrier）无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。
是高速和高频ic用封装，也称为陶瓷qfn或qfn－c（见qfn）。
25、lga（landgridarray）触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点（1.27mm中心距）和447触点（2.54mm中心距）的陶瓷lga，应用于高速逻辑lsi电路。lga与qfp相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速lsi是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
26、loc（leadonchip）芯片上引线封装。lsi封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
27、lqfp（lowprofilequadflatpackage）薄型qfp。指封装本体厚度为1.4mm的qfp，是日本电子机械工业会根据制定的新qfp外形规格所用的名称。
28、l－quad陶瓷qfp之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑lsi开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许w3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的lsi逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。
29、多芯片模块。多芯片组件。在这种技术中，ic模片不是安装在单独的塑料或陶瓷封装（外壳）里，而是把高速子系统（如处理器和它得高速缓存）的ic模片直接绑定到基座上，这种基座包含多个层所所需的连接。mcm是密封的，并且有自己的用于连接电源和接地的外部引脚，以及所处系统所需要的那些信号线。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。cm是在混合集成电路技术基础上发展起来的一项微电子技术，其与混合集成电路产品并没有本质的区别，只不过mcm具有更高的性能、更多的功能和更小的体积，可以说mcm属于高级混合集成电路产品。
mcm－l 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
mcm－c 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使
用多层陶瓷基板的厚膜混合ic 类似。两者无明显差别。布线密度高于mcm－l。
mcm－d 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或si、al 作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
怎样利用AVR单片机来测试蓄电池的剩余电量？
外媒大胆判断：明年苹果仍可能在iPhone中使用高通5G芯片
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有哪些电子元器件封装？
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什么是DC？关于DC常见问题汇总
LG G5拆解，看看这款手机的内部做工如何
手机的4×4MIMO天线是什么？路由器的天线越多信号越强吗？
LG Display P-OLED核心技术是什么
华为与中国信通院等单位发布白皮书倡导工业网络IP化
麦肯锡解读ADAS浪潮下的三大发展趋势
2018年人工智能趋势：中国AI企业融资额超美国
巴新国家电网一期项目开工仪式：巴新国家电网输变电工程顺利启动