ying cheng
lt8645s 和 lt8646s 是65 v同步降压型单片式稳压器,支持8 a输出。它们的silent switcher® 2架构可实现优异的emi性能,这与电 路板布局无关。lt8646s具有rc外部补偿功能电路,以优化瞬态响应。
宽输入范围和高输出电流单片式解决方案
当设计用于48 v总线系统的降压型转换器时,电源设计师倾向于选择控制器解决方案(外部mosfet),而非尺寸小得多的单片式稳压器(内部mosfet),这是因为,能够处理如此高输入电压的单片式稳压器寥寥无几,其中大多数的输出电流被限制在5 a以下。lt8645s/lt8646s单片式稳压器破除了这一陈规。
lt8645s/lt8646s的65 v输入、高电流单片式silent switcher 2降压型稳压器接受3.4 v至65 v的宽输入电压范围,并支持高达8 a的输出电流。图1示出了一款采用lt8645s的完整12 v输出(在8 a)解决方案。lt8645s运用内部补偿,因而可减少外部组件数目并简化设计。旁路电容器的集成进一步缩减了总体解决方案尺寸。如图2所示,该解决方案的效率达到97%。
图1. 采用lt8645s(在400 khz)的12 v、8 a应用电路。
图2. lt8645s 12 v/8 a输出效率(图1所示设计)。
快速瞬态响应和超低emi
针对特定的应用,只需采用两个外部组件(vc引脚上的一个电阻器和一个电容器)以优化lt8646s的瞬态响应。图3示出了5 v/8 a输出lt8646s解决方案,图4则显示了采用优化补偿所实现的负载瞬态响应。
图3. 超低emi lt8646s 5 v、8 a降压型转换器(扩展频谱模式被启用)。
图4. lt8646s 12 v至5 v、2 a负载阶跃瞬态响应(图3所示设计,fsw = 2 mhz)。
在该解决方案中,开关频率被设定在2 mhz,因而允许使用一个小的1 μh电感器。另外,lt8645s/lt8646s还可在过载或短路情况下安全地承受电感器饱和,这得益于高速峰值电流模式架构。因此,不必为了应对过流瞬变而使用过大的电感器,除非必需防止出现持续时间很长的过载或短路。
lt8645s/lt8646s均采用一种silent switcher 2架构,此架构结合了分离的热环路和集成化旁路电容器。因此,emi性能对电路板布局是不敏感的,从而在那些要求超低emi的设计中解除了工程师的这一设计担忧。图5给出了采用图3所示解决方案时的cispr 25辐射emi测试结果。利用铁氧体磁珠和电容滤波器,电路能够满足严格的cispr 25 class 5限制。
图5. 图3所示设计的lt8646s cispr 25辐射发射测试结果(14 v输入至5 v/4 a输出,fsw = 2 mhz)。
小的最短导通时间和高降压比
lt8645s和lt8646s具有仅40 ns的最短导通时间,因而使其能支持高降压比,甚至在2 mhz的高开关频率条件下也不例外。例如,在2 mhz频率下将48 v转换至5 v需要52 ns的导通时间,这是采用大多数转换器都做不到的。该降压比通常将要求工程师选择一款两级转换器(具有一个中间电压),但是,lt8645s和lt8646s单片式稳压器则皆能单独完成此转换,从而降低了电源尺寸和复杂性。
图6示出了一款用于达30 v之输入的1.8 v/8 a输出解决方案,其采用了工作在1 mhz开关频率的lt8645s。如果跳过某些开关周期是可以接受的,那么输入可升高至65 v的绝对最大额定值。当输出低于3.1 v时,lt8645s的bias引脚可连接至一个高于3.1 v(即3.3 v或5 v)的外部电源,以改善效率。
图6. 穿越65 v输入瞬变过程运行的lt8645s 1 mhz 1.8 v/8 a应用电路。
结论
lt8645s和lt8646s 8 a同步超低emi单片式开关稳压器可提供小型6 mm × 4 mm lqfn封装。其获专利的silent switcher 2架构可实现相当低的emi辐射、高效率和紧凑的解决方案占板面积。输入可以高达65 v。40 ns的最短导通时间提供高降压比,实现了直接低电压输出,不需要两级转换。
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