碳化硅在电子产品中的应用(2)

wbg在高功率高温电子中的应用
功率电子是基础产业;所有电力设备都将使用某种形式的电源管理器件。因此,功率器件的进步也推动了大量应用的进展。这就是为何看到使用wbg材料的功率电子是很常见并令人欣喜的事。wbg最初被用于发光二极管(led),然后扩展到射频器件与saw滤波器,首次亮相于功率电子领域是1992年首个400v sic肖特基二极管的问世。自那时起,wgb功率电子产品组合已不断扩充,包括1200v sic肖特基二极管以及整流器,jfet,mosfet,bjt和可控硅,参与的制造商也众多,包括cree公司和意法半导体等。
作为行业领导者,cree进入wbg已经有段历史,其产品组合包括mosfet,肖特基二极管和整流器,led灯等。 2011年,cree公司推出了sic mosfet z-fet™线,它具备目前业界最高的效率,同时也提升了电源开关应用的可靠性。意法半导体stpsc家族目前已经包括600v,650v,1200v的sic二极管。 stpsc6h12是一款高性能1200v sic肖特基整流器,专用于光电逆变器。由于其在任何温度下高频工作时开关损耗低以及超快的开关速度,可以将变频器良率增加多达2%。相比于双极二极管,sic二极管的损耗可以降低70%。
碳化硅(sic)是目前最成熟的wbg材料,市场已经出现大量的sic功率器件,这些产品也来自于众多厂家,包括cree,genesic,英飞凌,松下,罗姆,意法半导体,semelab/ tt电子和美国中央半导体。对于功率器件,sic相对于硅的优势包括更高的效率,更低的损耗,更高的开关频率,可以去掉一些无源元件以保持紧凑的设计,以及更高的击穿电压(几十千伏)。sic在功率电子设计中可实现更快的运行速度,以及尺寸更小的磁性元件。
这些特性使得sic适用于高功率(>1200v,>100千瓦),耐高温(200° - 400°c)的应用,同时也适用于要求较松的使用。可再生能源发电(太阳能逆变器和风力涡轮机),地热能(潜孔钻),汽车(混动汽车/电动汽车),交通(飞机,船舶和铁路牵引),军用系统,太空计划,工业电机驱动,不间断电源,和离线电源中的功率因数校正(pfc)升压级,这些应用均适合使用sic功率器件。
作为一种新兴技术,sic比硅的生产成本更高,导致gan的低成本优势显现,基于gan的功率器件现在刚刚进入市场。这些器件表现为在一个sic或者硅衬底上连接gan,否则同时使用gan衬底代价将非常高昂。尽管降低了成本,以及保持了sic一样超出于硅的性能优势,但与基板的不匹配降低了gan的高理论热传导率,实际值也略低于硅。gan-on-si类wbg的优势包括:高电压操作,高开关频率和出色的可靠性 特别是预期最早在2015年gan-on-si的价格将与硅相同,这样基于gan的功率器件将对亚900 v应用有很大的吸引力。随着成本下降,gan功率器件也将出现在下一代消费电子产品中,因为这些产品对尺寸大小、效率以及价格非常敏感。
sic功率半导体2013年的销售额为大约2亿美元,但预计在未来数年将飞速增长,一些预测估计,到2022年销售额将接近18亿美元。尽管gan功率器件刚刚进入市场,但同期(2022年)销售额预计将超过10亿美元。虽然预期sic和gan功率器件将获得指数级增长,考虑到2020年全球功率半导体市场的价值估计约为650亿美元(ihs / ims研究),很显然未来几年硅的市场价值仍将持续。在低功低压市场中尤其如此,而这里主要采用窄带隙材料。低功低压市场的新材料开发仍处于起步阶段。例如,石墨烯、零带隙材料,由于其独特的性能,已经带来了诸多惊喜。石墨烯具有可调整的带隙,优异的导电性,耐久性,重量轻,直到最近的2004年才分离出来。有趣的是,在低压(〜10 -6托)加热sic到高温(> 1100℃)时,sic就转换成石墨烯。

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