DDR SDRAM是拥有着双倍数据传输率的SDRAM
ddr sdram是具有双倍数据传输率的sdram，其数据传输速度为系统时钟频率的两倍，由于速度增加，其传输性能优于传统的sdram。ddr sdram 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。sdram在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟上升期进行数据传输；而ddr则是一个时钟周期内可传输两次数据，也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。下面英尚微电子介绍ddr sdram内存发展历程。
（1）ddr sdram
ddr sdram双倍数据率同步动态随机存取存储器，它是sdr sdram的升级版，ddr sdram在时钟周期的上升沿与下降沿各传输一次信号，使得它的数据传输速度是sdr sdram的两倍，而且这样做还不会增加功耗，至于定址与控制信号与sdr sdram相同，仅在上升沿传输，这是对当时内存控制器的兼容性与性能做的折中。
ddr sdram采用184pin的dimm插槽，防呆缺口从sdr sdram时的两个变成一个，常见工作电压2．5v，初代ddr内存的频率是200mhz，随后慢慢的诞生了ddr-266、ddr-333和那个时代主流的ddr-400，至于那些运行在500mhz，600mhz、700mhz的都算是超频条了，ddr内存刚出来的时候只有单通道，后来出现了支持双通芯片组，让内存的带宽直接翻倍，两根ddr－400内存组成双通道的话基本上可以满足fbs 800mhz的奔腾4处理器，容量则是从128mb到1gb。
（2）ddr2 sdramddr2/ddr ii sdram是由jedec进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代ddr内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但ddr2sdram内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
ddr2的标准电压下降至1.8v，这使得它较上代产品更为节能，ddr2的频率从400mhz到1200mhz，当时的主流的是ddr2-800，更高频率其实都是超频条，容量从256mb起步最大4gb，不过4gb的ddr2是很少的，在ddr2时代的末期大多是单条2gb的容量。
（3）ddr3 sdramddr3提供了相较于ddr2 sdram更高的运行效能与更低的电压，是ddr2 sdram的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品规格。
和上一代的ddr2相比，ddr3在许多方面作了新的规范，核心电压降低到1.5v，预取从4-bit变成了8-bit，这也是ddr3提升带宽的关键，同样的核心频率ddr3能够提供两倍于ddr2的带宽，此外ddr3还新增了cwd、reset、zq、str、rasr等技术。
ddr3内存与ddr2一样是240pin dimm接口，不过两者的防呆缺口位置是不同的，不能混插，常见的容量是512mb到8gb，当然也有单条16gb的ddr3内存，只不过很稀少。频率方面从800mhz起步，目前比较容量买到最高的频率2400mhz，实际上有厂家推出了3100mhz的ddr3内存，只是比较难买得到，支持ddr3内存的平台有intel的后期的lga 775主板p35、p45、x38、x48等，lga 1366平台，lga 115x系列全都支持还有lga 2011的x79，amd方面am3、am3＋、fm1、fm2、fm3接口的产品全都支持ddr3。
（4）ddr4 sdram从ddr到ddr3，每一代ddr技术的内存预取位数都会翻倍，前三者分别是2bit、4bit及8bit，以此达到内存带宽翻倍的目标，不过ddr4在预取位上保持了ddr3的8bit设计，因为继续翻倍为16bit预取的难度太大，ddr4转而提升bank数量，它使用的是bank group（bg）设计，4个bank作为一个bg组，可自由使用2-4组bg，每个bg都可以独立操作。使用2组bg的话，每次操作的数据16bit，4组bg则能达到32bit操作，这其实变相提高了预取位宽。
ddr4相比ddr3最大的区别有三点：16bit预取机制（ddr3为8bit），同样内核频率下理论速度是ddr3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2v，更节能。
ddr4内存的针脚从ddr3的240个提高到了284个，防呆缺口也与ddr3的位置不同，还有一点改变就是ddr4的金手指是中间高两侧低有轻微的曲线，而之前的内存金手指都是平直的，ddr4既在保持与dimm插槽有足够的信号接触面积，也能在移除内存的时候比ddr3更加轻松。
如umi的32位 ddr4 sdram，umi ud408g5s1af的密度为8gb，数据速率为3200mbps/2933mbps/2666mbps/2400mbps/2133mbps/1866mbps/1600mbps。商业工作温度范围为0℃至+95℃，工业工作温度范围-40℃至+95℃。支持应用在ultrascale fpga器件中有助于确保获得最大时序裕量。为保证最佳信号完整性， i/o技术还包括传输预加重、接收均衡、低抖动时钟和噪声隔离设计技术。英尚微电子支持ddr4sdram内存接口送样及测试。
从ddr到ddr4，不同性能参数差异主要体现在2个地方：电源电压、数据传输速率。电源电压值越来越低，而数据传输速率却是呈几何倍数增长。
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ddr sdram采用184pin的dimm插槽，防呆缺口从sdr sdram时的两个变成一个，常见工作电压2．5v，初代ddr内存的频率是200mhz，随后慢慢的诞生了ddr-266、ddr-333和那个时代主流的ddr-400，至于那些运行在500mhz，600mhz、700mhz的都算是超频条了，ddr内存刚出来的时候只有单通道，后来出现了支持双通芯片组，让内存的带宽直接翻倍，两根ddr－400内存组成双通道的话基本上可以满足fbs 800mhz的奔腾4处理器，容量则是从128mb到1gb。
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