长鑫国产DDR4内存芯片的外观和参数曝光，使用19纳米制造技术
长鑫存储正使用其10g1工艺技术（即19nm工艺）来制造4gb和8gb的ddr4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市。现在，一名用户就曝光了新款内存的外观和参数。
上图清单中列出长鑫的笔记本和台式机内存，容量都是8gb，速率都是ddr4-2666，电压为1.2v，时序未知。
长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产ddr4内存。目前，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的dram。不仅如此，长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造lpddr4x内存。该公司的技术路线图包括17nm的ddr4、lpddr4x、ddr5和lpddr5内存。
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