场效应管做开关电路图（两款电路图分享）
开关电路是指具有“接通”和“断开”两种状态的电路。输入、输出信号具有两种状态的电路就是一种开关电路。逻辑门电路、双稳态触发器也都是开关电路。 开关电路的原理是由开关管和pwm（pulse width modulatioon）控制芯片构成振荡电路，产生高频脉冲。将高压整流滤波电路产生的高压直流电变成高频脉冲直流电，送到主变压器降压，变成低频脉冲直流电。
场效应管做开关电路图一
场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。举个例子：做一个场效应管的的开关电路，控制25w 24v的电磁铁 ，电源 直流24v ，信号电压 8v，最低1.7v ，信号和输出都是两个 ，一个离合， 一个刹车 ，交替运行 每秒大约5次。方法：1.7至8v的信号电压通过限流电阻接至三极管基极，三极管集电极触发由cd4013数字集成电路电路组成的单稳态电路，数字电路4013的输出端q和q非分别驱动2个场效应管，二个效应管均可驱动电磁铁线圈，使离合、刹车交替进行，选取合适的单稳态电阻和电容元件可以使离合 、刹车每秒1次以上。
场效应管电压控制元件，仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流，因此驱动损耗较小。多子器件，没有电导调制效应，有一个近似线性i-v关系，导通压降随着电流增大增大。高耐压的场效应管的漂移区较厚，因此导通电阻较大。导通电阻具有正温度系数，并联时候可以实现自动均流。硅半导体的mosfet耐压等级为600v以下。这是因为导通压降和耐压的关系的限制。新型的碳化硅mosfet的耐压等级可以做到1200v。对于高耐压情况，igbt结合了mosfet和晶体管的特性，具有mosfet优异的开关性能和晶体管的静态性能，在1000v~6000v应用场合更受到青睐。
场效应管做开关电路图二
图中电池的正电通过开关s1接到场效应管q1的2脚源极，但由于q1是一个p沟道管，它的1脚栅极通过r20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，所以此时是关机状态。当按下sw1开机按键时，正电通过按键、r11、r23、d4加到三极管q2的基极，这时三极管q2的基极得到一个正电位，三极管导通。而由于三极管的发射极直接接地，三极管q2导通就相当于q1的栅极直接接地，加在它上面的通过r20电阻的电压就直接入了地，q1的栅极就从高电位变为低电位，q1导通电就从q1同过加到3v稳压ic的输入脚，3v稳压ic就是那个u1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0。通过读取固件程序检测等一系列动作，输出控制电压到pwr_on再通过r24、r13分压送到q2的基极，q2一直保持导通状态，即使你松开开机键断开q1的基极电压，q2的导通状态还是能由主控电压保持着，这时电源处于开机状态。
sw1还同时通过r11、r30两个电阻的分压，给主控playon脚送去时间长短、次数不同的控制信号，主控通过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输出不同的结果给相应的控制点，以达到不同的工作状态。
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场效应管电压控制元件，仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流，因此驱动损耗较小。多子器件，没有电导调制效应，有一个近似线性i-v关系，导通压降随着电流增大增大。高耐压的场效应管的漂移区较厚，因此导通电阻较大。导通电阻具有正温度系数，并联时候可以实现自动均流。硅半导体的mosfet耐压等级为600v以下。这是因为导通压降和耐压的关系的限制。新型的碳化硅mosfet的耐压等级可以做到1200v。对于高耐压情况，igbt结合了mosfet和晶体管的特性，具有mosfet优异的开关性能和晶体管的静态性能，在1000v~6000v应用场合更受到青睐。
场效应管做开关电路图二
图中电池的正电通过开关s1接到场效应管q1的2脚源极，但由于q1是一个p沟道管，它的1脚栅极通过r20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，所以此时是关机状态。当按下sw1开机按键时，正电通过按键、r11、r23、d4加到三极管q2的基极，这时三极管q2的基极得到一个正电位，三极管导通。而由于三极管的发射极直接接地，三极管q2导通就相当于q1的栅极直接接地，加在它上面的通过r20电阻的电压就直接入了地，q1的栅极就从高电位变为低电位，q1导通电就从q1同过加到3v稳压ic的输入脚，3v稳压ic就是那个u1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0。通过读取固件程序检测等一系列动作，输出控制电压到pwr_on再通过r24、r13分压送到q2的基极，q2一直保持导通状态，即使你松开开机键断开q1的基极电压，q2的导通状态还是能由主控电压保持着，这时电源处于开机状态。
sw1还同时通过r11、r30两个电阻的分压，给主控playon脚送去时间长短、次数不同的控制信号，主控通过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输出不同的结果给相应的控制点，以达到不同的工作状态。
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