Vishay的PowerPAIR功率MOSFET荣获2012中国年度电子成就奖
宾夕法尼亚、malvern — 2012 年 4 月26 日 — 日前，vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，该公司的siz710dt 20 v n沟道powerpair®功率mosfet荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。
中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年度奖项授予在设计和技术上有突出优点，为工程师提供了新的强大功能，能够大大节省时间、成本、占用空间等资源的产品。此外，该奖项颁发给将会在中国大陆地区产生重要影响的产品。
siz710dt是首款在6mm x 3.7mm的powerpair封装中采用trenchfet gen iii技术的非对称双边trenchfet®功率mosfet，可用于笔记本电脑、vrm、电源模块、图形卡、服务器和游戏机中的系统电源、pol、低电流dc/dc和同步降压应用。器件的导通电阻比前一代mosfet低43%，同时具有更高的最大电流并能提高效率。
siz710dt具有此类器件中最低的导通电阻，在小尺寸外形内集成了低边和高边mosfet，比dc/dc转换器中由两个分立器件组成的解决方案能节省很多空间。低边的沟道2 mosfet使用了针对非对称结构的优化空间布局，在10v和4.5v下的导通电阻为3.3mω和4.3mω，高边沟道1 mosfet在10v和4.5v下的导通电阻为6.8mω和9.0mω。
颁奖仪式与在深圳举行的iic-china 2012(3月23日至25日)同期举行，vishay的中国及香港区高级销售总监eric lo代表vishay领取了该奖项。
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