高精度纳米级压电位移平台“piezoconcept”
半导体界后摩尔时代的手术刀!
第三代半导体是后摩尔时代实现芯片性能突破的核心技术之一,优越性能和广泛的下游应用使相关厂商存在良好发展前景。
昊量光电推出“piezoconcept”公司高精度纳米级压电位移平台系列产品,它的产品犹如一把手术刀,具备精确、锋利、专业、值得信任的特点;它代表着高精度、高稳定性、高响应速度、高抗疲劳性。
下面对“piezoconcept”产品进行详细的介绍:
1
piezoconcept单轴位移平台
piezoconcept单轴位移平台产品是可以在单个维度上提供精确定位的产品,主要包含x轴压电平台、z轴压电平台、物镜扫描台、快速反射镜。
x轴产品图片
z轴产品图片
一维扫描平台
一维快反镜
2
piezoconcept两轴位移平台
两轴压电平台可以提供两个维度上的平移或偏转,主要包括xy二维压电纳米位移台和二维快反镜。
xy轴压电平台
二维快反镜
3
piezoconcept三轴位移平台
xyz轴压电平台
4
piezoconcept位移台独特优势
昊量光电推出“piezoconcept”高精度单轴、双轴、三轴纳米级压电位移台、物镜扫描台、快反镜系列产品;该压电平台以压电陶瓷为驱动,采用了柔性铰链连接的方法,具备精确导向性、高稳定性、高抗疲劳性的特点,同时搭配高精度硅基位移传感器、16bit高分辨率高速控制器,具有高响应速度,亚纳米级的分辨率,超低底噪(10-50pm)和超高线性度(0.02%),广泛应用于高精密位移领域,包括但不局限于半导体领域。
功能的独特优势包括:
亚微米级别的重复定位精度
稳定性远远优于同类产品
0-1500微米级的移动范围
5
piezoconcept使用什么类型的传感器?
为什么它优于其他传感器技术?
piezoconcept使用单晶硅传感器,称为硅基位移传感器。尽管它是应变传感器大家族的一部分,但它优于其他两种常用传感器(电容式传感器和金属应变传感器)。这两种传感器与piezoconcept单晶硅传感器相比都有明显的缺点。
电容式传感器与piezoconcept硅基位移传感器相比,对以下方面很敏感:
气压变化:空气的介电常数取决于气压。测量将受到任何压力变化的影响。
温度变化:空气的介电常数也会随温度变化。
污染物的存在。
以上所有这些都会导致纳米级的一些不稳定性,即使可以对空气压力和温度进行校正,也不可能校正其它因素(污染物、排气)的影响。这解释了电容式传感器在真空环境中性能不佳的原因。此外,电容传感器非常昂贵和笨重。硅hr传感器技术是一种固态技术,它的电阻不依赖于空气压力或污染物的存在。其次,虽然温度变化对测量有影响(主要是因为材料的热膨胀),但这可以通过使用传感器阵列进行校正。基本上,piezoconcept在每个轴上使用两个平行的硅传感器,一个用于测量,另一个用于考虑温度变化引起的材料膨胀。
6
金属应变传感器与
piezoconcept硅基位移传感器的比较。
金属应变传感器和piezoconcept硅基位移传感器之间的差异更大。
第一个区别是应变系数:半导体应变传感器(硅基位移传感器)的应变系数大约是金属应变传感器的100倍。更高的应变系数导致更高的信噪比,最终导致更高稳定性。
第二个区别是金属应变传感器不能直接安装在挠曲装置上(也就是实现运动的地方):金属应变传感器必须安装在某种“背衬”上,这就导致了压电致动器存在蠕变或滞后现象。由于压电致动器的膨胀不均匀,因此仅测量致动器的一部分伸长率无法精确推导其完整伸长率。硅基位移传感器是通过对挠曲本身进行测量,不存在这种“不均匀性”问题。
综上所述,硅基位移传感器在环境背景中优于电容式传感器,在信噪比和稳定性方面优于金属应变传感器。
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