RS瑞森半导体在电动工具、锂电保护板上的应用
rs40n130g是一款低压mos-sgt工艺产品，sgt技术独特的器件结构和芯片设计提升了产品的耐用度，减少芯片面积，实现了屏蔽栅极与漂移区的作用 ，同时也减小了米勒电容以及栅电荷，即使器件的开关速度加快也能降低减低其损耗，被广泛应用于电动工具、逆变器、锂电保护板等产品。
一、sgt mosfet优势介绍
mosfet分类：
trench （沟槽型）mosfet：主要用于低压领域；
sgt（shielded gate transistor，屏蔽栅沟槽）mosfet：主要用于中压和低压领域；
平面型mosfet、cool（超结）mosfet：主要在高压领域应用。
图1：应用于同步整流sgt mos
二、sgt技术优势
提升功率密度：
sgt工艺比普通沟槽工艺挖掘深度深3-5倍，在栅电极下方增加了一块多晶硅电极，即屏蔽电极或耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，既实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，又减小了米勒电容以及栅电荷，使器件的开关速度得以加快，降低损耗。与此同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，降低导通损耗，所以与普通沟槽式mosfet相比，sgt mosfet的内阻要低2倍以上。
图2：trench mos和sgt mos栅电荷对比
极低的开关损耗：
sgt工艺相对传统trench结构，具有低qg 的特点，它的技术革新改变了mosfet内部电场的形态，将传统的三角形电场变更为梯形电场，可以进一步减小epi层的厚度，降低导通电阻rds(on)，有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。
图3：trench mos和sgt mos器件结构
更好的emi优势和抗雪崩eas能力：
由于sgt mosfet具有较深的沟槽深度，可以利用更多的晶硅体积来吸收eas能量，所以sgt在雪崩时性能更强，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。同时sgt结构中寄生的cd-shield和rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，具有更好的emi特性。
rs40n130g特点与应用：
漏源击穿电压40v，漏极电流最大为130a；开启延迟典型值为18.8ns，关断延迟时间典型值为136.8ns，上升时间70.1ns，下降时间92.3ns，反向传输电容55pf，反向恢复时间56ns，正向电压的最大值1.3v。rds(on)典型值为1.45mω，推荐用于锂电池保护板、同步整流、电动工具等。
瑞森半导体作为一家功率器件整体方案提供商，在中压mos-sgt系列产品上以先进的生产工艺，优越的性能，良好的口碑，受到众多品牌的信任与支持。
附：瑞森半导体部分低压mosfet-sgt产品选型表
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二、sgt技术优势
提升功率密度：
sgt工艺比普通沟槽工艺挖掘深度深3-5倍，在栅电极下方增加了一块多晶硅电极，即屏蔽电极或耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，既实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，又减小了米勒电容以及栅电荷，使器件的开关速度得以加快，降低损耗。与此同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，降低导通损耗，所以与普通沟槽式mosfet相比，sgt mosfet的内阻要低2倍以上。
图2：trench mos和sgt mos栅电荷对比
极低的开关损耗：
sgt工艺相对传统trench结构，具有低qg 的特点，它的技术革新改变了mosfet内部电场的形态，将传统的三角形电场变更为梯形电场，可以进一步减小epi层的厚度，降低导通电阻rds(on)，有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。
图3：trench mos和sgt mos器件结构
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由于sgt mosfet具有较深的沟槽深度，可以利用更多的晶硅体积来吸收eas能量，所以sgt在雪崩时性能更强，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。同时sgt结构中寄生的cd-shield和rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，具有更好的emi特性。
rs40n130g特点与应用：
漏源击穿电压40v，漏极电流最大为130a；开启延迟典型值为18.8ns，关断延迟时间典型值为136.8ns，上升时间70.1ns，下降时间92.3ns，反向传输电容55pf，反向恢复时间56ns，正向电压的最大值1.3v。rds(on)典型值为1.45mω，推荐用于锂电池保护板、同步整流、电动工具等。
瑞森半导体作为一家功率器件整体方案提供商，在中压mos-sgt系列产品上以先进的生产工艺，优越的性能，良好的口碑，受到众多品牌的信任与支持。
附：瑞森半导体部分低压mosfet-sgt产品选型表
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