3nm量产再延期，3纳米订单数量不如预期
针对“台积电再度将 3 纳米芯片量产延期三个月”的消息，台积电近日回应称，3 纳米制程的发展符合预期，良率高，将在第四季度晚些时候量产。
同时，台积电总裁魏哲家也在近日法说会上提到，3 纳米进度符合预期，具备良好良率并将在第四季度量产，在高速运算和智能手机应用驱动下，客户对3纳米需求超过产能。 尽管台积电对3纳米芯片量产持乐观态度，但其在3纳米芯片仍然坚持finfet工艺，是否就是其被传延期的根本原因呢?其工艺路线是否太激进?
第四季度量产“初代版本”3纳米芯片?
据《日经亚洲》报道，苹果将在2023年成为第一家使用台积电最新3nm制程工艺的公司，即n3e(3nm enhanced)制程工艺。据悉，n3e工艺芯片将用在苹果2023年的新款iphone和mac电脑上。 知情人士透露，苹果目前研发的a17处理器将使用台积电的n3e(3nm enhanced)制程工艺进行大规模生产，预计2023下半年上市。知情人士还称，a17处理器将用在2023年发布的iphone 15 pro系列上，而基本款的iphone 15将仍然采用a16处理器。此外，用于新款mac电脑的m3处理器也将采用n3e制程工艺。 据悉，台积电员工在台湾新竹市的技术研讨会上透露，n3e工艺将比n3工艺提供更好的性能和能源效率。另外也有消息透露，与5nm工艺(n5)相比，在同等性能和密度的条件下，n3e的功耗降低34%、性能提升18%，晶体管密度提升60%。
此前，有消息人士透露，台积电内部决定放弃n3工艺，转攻2023下半年量产成本更优的n3e工艺。业内人士推测，导致该结果的主要原因是苹果对台积电第一代3nm芯片的效果不满意。由于采用第一代3nm工艺的客户较少，苹果又是台积电的主要大客户，所以台积电或将放弃3nm工艺，转而投入表现更好的n3e工艺。 综合以上信息，台积电今年第四季度量产的3纳米芯片是否会是“初代版本”呢? 而初代版本的3纳米工艺很可能因为不成熟，其良品率难以达到客户预期。
技术工艺路线太激进?
今年上半年，三星采用gaa工艺率先量产3纳米芯片，但很多性能指标上远不及台积电的n3工艺，比如晶体管密度。相对而言，台积电n3工艺路线是非常“保守”的，仍然采用finfet工艺，这是否就是其3纳米芯片延期，甚至落后三星的根本原因呢? 实际上，在工艺路线选择上，台积电n3工艺跟英特尔10nm芯片工艺选择有些类似。intel一直在10nm之前的工艺节点上“一骑绝尘”，但在10nm芯片上则直接翻车。有人总结其根本原因在于：intel的10nm工艺芯是在“刀尖跳舞”，自信变成了自负。
当时，英特尔规划10nm工艺芯片时，由于euv还无法商用化，就必须在不依赖euv的情况下去生产10nm芯片。而英特尔可选的路子就只有两条：一是把10nm的技术规格控制在当时duv光刻可接受的程度;二是在多重曝光技术saqp上下赌注，若成功顺带解决7nm工艺芯片的问题。
后来，intel选了后面这条路线，把线宽拖到必须采用saqp才能解决的宽度(目前duv密度最高的工艺)。果不其然，intel在10nm工艺芯片上遭遇失败。因此，intel的10nm工艺芯片是不太符合当时的技术背景，规格高于技术栈的能力。 那么，台积电的3nm芯片选择finfet工艺是否也有共同之处?根据目前的资料，台积电n3的预计密度是300，并且依旧是finfet工艺。 相对而言，gaa肯定比finfet更难造，但随着晶体管尺度向5nm甚至3nm迈进，finfet本身的尺寸已经缩小至极限后，无论是鳍片距离、短沟道效应、还是漏电和材料极限也使得晶体管制造变得岌岌可危，甚至物理结构都无法完成。因此，很多资深专业人士都认为，当工艺节点进阶到3nm时，finfet已不可行，将转向gaa。 然而，台积电3纳米芯片仍然选择finfet，是不是跟英特尔当年10纳米芯片一样，在技术极限挑战。那么，台积电3纳米芯片延期也在情理之中。
3纳米订单数量不如预期
尽管3纳米技术是业界非常期待的技术，但由于其应用成本过高，且在绝大多数应用场景下都属性能过剩，导致其必然成为小众的芯片工艺技术。不过，正如上文所述，预计n3工艺不会被采用，毕竟初代版本技术成本太高、良率太低，而n3e工艺作为增强版将进一步提升性能、降低功耗、扩大应用范围，成为苹果的首选技术工艺。 在第三季度财报会议上，台积电透露了3nm工艺的最新进展，由于订单数量不如预期，项目的实际落地时间或将推迟至今年底。据悉，英特尔、amd和英伟达都不再支持台积电首批3nm工艺，而苹果则按原计划生产a17仿生芯片与m3芯片。
毫无疑问，在芯片技术选择上，苹果才有财力和意愿支持台积电n3e工艺，进而保证其产品阵营的领先性。然而，英特尔、amd和英伟达暂时不选择n3e工艺更多的是考量pc市场需求不旺，没有必要冒着良率不足的风险抢夺首批3nm工艺。 不过，毫无疑问，台积电3纳米工艺仍然是受欢迎的。据悉，台积电n3e工艺中256mb sram的平均良率将达到80%，移动设备以及hpc芯片良率也为80%左右。受限于市场因素，英特尔、amd和英伟达才搁置采用台积电n3e工艺芯片的计划。
为iphone制造零部件的公司murata manufacturing(村田制作所)认为，智能手机销量的下降将持续到2023年。该公司估计，2021年，全球智能手机市场出货量为13.6亿部，而2022年的总销量可能低于12亿部，这主要由中国市场的需求下降导致。 canalys预计，2022年第三季度，全球个人电脑市场面临需求大幅下降的趋势。台式电脑和笔记本电脑总发货量下降18%，至6,940万台。不利的宏观经济和行业因素削弱了个人电脑市场的势头，包括高通胀、利率上升和库存膨胀，这一趋势可能持续到2023年。 由此可见，台积电要指望n3e工艺赢得更多订单，可能需要再等一年，而n3e工艺对其经营业绩能带来多大助力还有待观察。
克服无线电基站发射机测试的挑战
几百块钱的5G手机你见过吗？
聚焦科技创新与产业孵化，安富利与上海临港科技创业中心深化战略合作
移远通信智能制造中心已开始投产使用
专业电工告诉你电气原理图的识图技巧
3nm量产再延期，3纳米订单数量不如预期
你要的全世界最安全的迷你PC 十米开外将自动休眠并切断USB连接
TOPS 与现实世界的性能：AI 加速器的基准性能
全球智慧型手机TOP20排行榜出炉：大陆独占11位台湾2位
关于国产DRAM可以向日韩学习指南
一款基于人工智能技术的助听器
三星Galaxy S20 Ultra局部照曝光，背部摄像头延用凸起设计
APS生产计划排产与ERP生产计划差异对比
美国车路协同（V2X）发展现状：将覆盖50%的州和城市
创新的IGBT内部封装技术
Zoom计划将于4月份进行IPO
锁存器和触发器如何区分
全新宝马X5主要有三个显著的技术升级点
基于类/微型驱动模型的视频驱动设计解决方案
探索5G射频技术
同时，台积电总裁魏哲家也在近日法说会上提到，3 纳米进度符合预期，具备良好良率并将在第四季度量产，在高速运算和智能手机应用驱动下，客户对3纳米需求超过产能。 尽管台积电对3纳米芯片量产持乐观态度，但其在3纳米芯片仍然坚持finfet工艺，是否就是其被传延期的根本原因呢?其工艺路线是否太激进?
第四季度量产“初代版本”3纳米芯片?
据《日经亚洲》报道，苹果将在2023年成为第一家使用台积电最新3nm制程工艺的公司，即n3e(3nm enhanced)制程工艺。据悉，n3e工艺芯片将用在苹果2023年的新款iphone和mac电脑上。 知情人士透露，苹果目前研发的a17处理器将使用台积电的n3e(3nm enhanced)制程工艺进行大规模生产，预计2023下半年上市。知情人士还称，a17处理器将用在2023年发布的iphone 15 pro系列上，而基本款的iphone 15将仍然采用a16处理器。此外，用于新款mac电脑的m3处理器也将采用n3e制程工艺。 据悉，台积电员工在台湾新竹市的技术研讨会上透露，n3e工艺将比n3工艺提供更好的性能和能源效率。另外也有消息透露，与5nm工艺(n5)相比，在同等性能和密度的条件下，n3e的功耗降低34%、性能提升18%，晶体管密度提升60%。
此前，有消息人士透露，台积电内部决定放弃n3工艺，转攻2023下半年量产成本更优的n3e工艺。业内人士推测，导致该结果的主要原因是苹果对台积电第一代3nm芯片的效果不满意。由于采用第一代3nm工艺的客户较少，苹果又是台积电的主要大客户，所以台积电或将放弃3nm工艺，转而投入表现更好的n3e工艺。 综合以上信息，台积电今年第四季度量产的3纳米芯片是否会是“初代版本”呢? 而初代版本的3纳米工艺很可能因为不成熟，其良品率难以达到客户预期。
技术工艺路线太激进?
今年上半年，三星采用gaa工艺率先量产3纳米芯片，但很多性能指标上远不及台积电的n3工艺，比如晶体管密度。相对而言，台积电n3工艺路线是非常“保守”的，仍然采用finfet工艺，这是否就是其3纳米芯片延期，甚至落后三星的根本原因呢? 实际上，在工艺路线选择上，台积电n3工艺跟英特尔10nm芯片工艺选择有些类似。intel一直在10nm之前的工艺节点上“一骑绝尘”，但在10nm芯片上则直接翻车。有人总结其根本原因在于：intel的10nm工艺芯是在“刀尖跳舞”，自信变成了自负。
当时，英特尔规划10nm工艺芯片时，由于euv还无法商用化，就必须在不依赖euv的情况下去生产10nm芯片。而英特尔可选的路子就只有两条：一是把10nm的技术规格控制在当时duv光刻可接受的程度;二是在多重曝光技术saqp上下赌注，若成功顺带解决7nm工艺芯片的问题。
后来，intel选了后面这条路线，把线宽拖到必须采用saqp才能解决的宽度(目前duv密度最高的工艺)。果不其然，intel在10nm工艺芯片上遭遇失败。因此，intel的10nm工艺芯片是不太符合当时的技术背景，规格高于技术栈的能力。 那么，台积电的3nm芯片选择finfet工艺是否也有共同之处?根据目前的资料，台积电n3的预计密度是300，并且依旧是finfet工艺。 相对而言，gaa肯定比finfet更难造，但随着晶体管尺度向5nm甚至3nm迈进，finfet本身的尺寸已经缩小至极限后，无论是鳍片距离、短沟道效应、还是漏电和材料极限也使得晶体管制造变得岌岌可危，甚至物理结构都无法完成。因此，很多资深专业人士都认为，当工艺节点进阶到3nm时，finfet已不可行，将转向gaa。 然而，台积电3纳米芯片仍然选择finfet，是不是跟英特尔当年10纳米芯片一样，在技术极限挑战。那么，台积电3纳米芯片延期也在情理之中。
3纳米订单数量不如预期
尽管3纳米技术是业界非常期待的技术，但由于其应用成本过高，且在绝大多数应用场景下都属性能过剩，导致其必然成为小众的芯片工艺技术。不过，正如上文所述，预计n3工艺不会被采用，毕竟初代版本技术成本太高、良率太低，而n3e工艺作为增强版将进一步提升性能、降低功耗、扩大应用范围，成为苹果的首选技术工艺。 在第三季度财报会议上，台积电透露了3nm工艺的最新进展，由于订单数量不如预期，项目的实际落地时间或将推迟至今年底。据悉，英特尔、amd和英伟达都不再支持台积电首批3nm工艺，而苹果则按原计划生产a17仿生芯片与m3芯片。
毫无疑问，在芯片技术选择上，苹果才有财力和意愿支持台积电n3e工艺，进而保证其产品阵营的领先性。然而，英特尔、amd和英伟达暂时不选择n3e工艺更多的是考量pc市场需求不旺，没有必要冒着良率不足的风险抢夺首批3nm工艺。 不过，毫无疑问，台积电3纳米工艺仍然是受欢迎的。据悉，台积电n3e工艺中256mb sram的平均良率将达到80%，移动设备以及hpc芯片良率也为80%左右。受限于市场因素，英特尔、amd和英伟达才搁置采用台积电n3e工艺芯片的计划。
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