创新的igbt内部封装技术
英飞凌推出创新的igbt内部封装技术。该技术可大幅延长igbt模块的使用寿命。全新的.xt技术可优化igbt模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术,英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求,并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。
全新.xt技术相对于现有技术,可使igbt模块的使用寿命延长10倍,或者使输出功率提高25%。这种新技术可支持高达200°c的结温。
功率循环会造成温度变化,并导致igbt模块内部连接部位产生机械应力。芯片各层的热膨胀系数不同,会造成热应力,导致材料疲劳和损坏。全新.xt技术涵盖igbt模块内部有关功率循环功能的所有关键点:芯片正面的键合线、芯片背面的焊接(芯片至dcb)和dcb(直接键合铜)至基板的焊接。
这种全新的连接技术经过精心开发,可满足英飞凌现有的多数封装和全新的模块封装的要求。全部三种新连接技术都可是基于标准工艺,十分适用于批量生产。
供货
采用全新.xt技术的第一款产品是primepack 2模块ff900r12ip4ld。该模块采用半桥配置,具备900arms的电流,基于igbt4芯片,最大工作结温为150°c。
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