韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(euv)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。
三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的arf更优越的euv技术。与arf工艺相比，euv短波长，能够更加准确地画出精密半导体的电路。半导体的电路越设计越薄，芯片的尺寸变小，耗电量也同时减小，发热也降低，因此精密工艺尤为重要。
三星电子方面表示，此次开发的“5纳米工艺”通过最优化的单元储存设计，将比已有的7纳米减少25%的面积大小，同时电量使用率提高20%，性能提高10%。
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