DDR内存条对比分析
ddr sdram(dual date rate sdram)简称ddr，也就是“双倍速率sdram“的意思。ddr可以说是sd ram的升级版本，ddr在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得ddr的数据传输速度为传统sdram的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统sdram相同，仅在时钟上升缘传输。
图1就是三代ddr内存的全家照，从上到下分别是ddr3、ddr2、ddr。大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。
(图1)ddr3,ddr2,ddr外观区别
防呆缺口：位置不同防插错
图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。
比如ddr 内存单面金手指针脚数量为92个(双面184个)，缺口左边为52个针脚， 缺口右边为40个针脚;ddr2 内存单面金手指120个(双面240个)，缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚;ddr3内存单面金手指也是120个(双面240个)，缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
芯片封装：浓缩是精华
在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说，ddr内存采用了tsop(thin small outline package，薄型小尺寸封装)封装技术，又长又大。而ddr2和ddr3内存均采用fbga(底部球形引脚封装)封装技术，与tsop相比，内存颗粒就小巧很多，fbga封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
tsop是内存颗粒通过引脚(图2黄色框)焊接在内存pcb上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存pcb接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和pcb的接触面积较小，使得ddr内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。
(图2)一颗ddr现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚
fbga封装把ddr2和ddr3内存的颗粒做成了正方形(图3)，而且体积大约只有ddr内存颗粒的三分之一，内存pcb上也看不到ddr内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。
(图3)ddr2和ddr3的方形内存颗粒-这是ddr2/ddr3与ddr一大显著差别
速度与容量：成倍提升
前面我们教大家如何计算内存带宽大小，其实我们在选择内存和cpu搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于cpu的带宽，这样才可以满足cpu的数据传输要求。
而我们从带宽公式(带宽=位宽×频率÷8)可以得知，和带宽关系最紧密的就是频率。这也是为什么三代内存等效频率一升再升的原因之一，其目的就是为了满足cpu的带宽。
不仅速度上有所提升，而且随着我们应用的提高，我们也需要更大容量的单根内存，ddr时代卖得最火的是512mb和1gb的内存，而到了ddr2时代，两根1gb内存就只是标准配置了，内存容量为4gb的电脑也逐渐多了起来。甚至在今后还会有单根8gb的内存出现。这说明了人们的对内存容量的要求在不断提高。
延迟值：一代比一代高
任何内存都有一个cas延迟值，这就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的时间一样。一般而言，内存的延迟值越小，传输速度越快。
从ddr、ddr2、ddr3内存身上看到，虽然它们的传输速度越来越快，频率越来越高，容量也越来越大，但延迟值却提高了，譬如ddr内存的延迟值(第一位数值大小最重要，普通用户关注第一位延迟值就可以了)为1.5、2、2.5、3;而到了ddr2时代，延迟值提升到了3、4、5、6;到了ddr3时代，延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。
功耗：一次又一次降低
电子产品要正常工作，肯定要有电。有电，就需要工作电压，该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的，内存电压的高低，也反映了内存工作的实际功耗。一般而言，内存功耗越低，发热量也越低，工作也更稳定。ddr内存的工作电压为2.5v，其工作功耗在10w左右;而到了ddr2时代，工作电压从2.5v降至1.8v;到了ddr3内存时代，工作电压从1.8v降至1.5v，相比ddr2可以节省30%～40%的功耗。为此我们也看到，从ddr内存发展到ddr3内存，尽管内存带宽大幅提升，但功耗反而降低，此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。
制造工艺：不断提高
从ddr到ddr2再到ddr3内存，其制造工艺都在不断改善，更高的工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低。譬如ddr内存颗粒广泛采用0.13微米制造工艺，而ddr2颗粒采用了0.09微米制造工艺，ddr3颗粒则采用了全新65nm制造工艺(1微米=1000纳米)。
总结
对于大多数用户来说2gb ddr2 800的内存就足够了，而偏高端一点的电脑使用总容量为4gb的内存就差不多了。
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图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。
比如ddr 内存单面金手指针脚数量为92个(双面184个)，缺口左边为52个针脚， 缺口右边为40个针脚;ddr2 内存单面金手指120个(双面240个)，缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚;ddr3内存单面金手指也是120个(双面240个)，缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
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在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说，ddr内存采用了tsop(thin small outline package，薄型小尺寸封装)封装技术，又长又大。而ddr2和ddr3内存均采用fbga(底部球形引脚封装)封装技术，与tsop相比，内存颗粒就小巧很多，fbga封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
tsop是内存颗粒通过引脚(图2黄色框)焊接在内存pcb上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存pcb接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和pcb的接触面积较小，使得ddr内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。
(图2)一颗ddr现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚
fbga封装把ddr2和ddr3内存的颗粒做成了正方形(图3)，而且体积大约只有ddr内存颗粒的三分之一，内存pcb上也看不到ddr内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。
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